公开(公告)号：US5468974A

公开(公告)日：1995-11-21

申请号：US249867

申请日：1994-05-26

申请人： Sheldon Aronowitz ,  Yen-Hui J. Ku ,  Yu-Lam Ho

发明人： Sheldon Aronowitz ,  Yen-Hui J. Ku ,  Yu-Lam Ho

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/32 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L29/32 ,  Y10S257/905 ,  Y10S438/934

摘要： Dopant distribution and activation in polysilicon is controlled by implanting electrically neutral atomic species which accumulate along polysilicon grain boundaries. Exemplary atomic species include noble gases and Group IV elements other than silicon.

摘要翻译： 多晶硅中的掺杂分布和激活通过注入沿着多晶硅晶界积累的电中性原子物种来控制。 示例性的原子物质包括惰性气体和除了硅之外的第IV族元素。