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    Six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with dynamically variable p-channel metal oxide semiconductor (PMOS) strength
    1.
    发明授权
    Six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with dynamically variable p-channel metal oxide semiconductor (PMOS) strength 有权
    具有动态可变p沟道金属氧化物半导体（PMOS）强度的六晶体管（6T）静态随机存取存储器（SRAM）

    公开(公告)号：US07177176B2

    公开(公告)日：2007-02-13

    申请号：US10883609

    申请日：2004-06-30

    申请人： Bo Zheng ,  Kevin Zhang ,  Fatih Hamzaoglu ,  Yih (Eric) Wang

    发明人： Bo Zheng ,  Kevin Zhang ,  Fatih Hamzaoglu ,  Yih (Eric) Wang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C5/14 ,  G11C7/10

    CPC分类号： G11C11/417 ,  G11C11/412

    摘要： In embodiments of the present invention, a static random access memory (SRAM) device has an array of memory cells in columns and rows. An individual memory cell includes two PMOS pull-up devices coupled to two NMOS pull-down devices. In READ mode and/or STANDBY/NO-OP mode of a column, the two PMOS pull-up devices are effectively strengthened by forward biasing the PMOS n-wells or by utilizing a lower threshold voltage PMOS device by implanting a lower halo dose in the PMOS device. In WRITE mode of a column, the two PMOS pull-up devices are effectively weakened by reverse biasing the PMOS n-wells or by coupling the sources of the NMOS devices to virtual ground (VSSi).

    摘要翻译： 在本发明的实施例中，静态随机存取存储器（SRAM）装置具有列和行中的存储器单元阵列。 单个存储单元包括耦合到两个NMOS下拉器件的两个PMOS上拉器件。 在列的READ模式和/或STANDBY / NO-OP模式下，通过正向偏置PMOS n阱或利用较低阈值电压PMOS器件，通过将较低的光晕剂量 PMOS器件。 在列的写入模式下，通过反向偏置PMOS n阱或通过将NMOS器件的源耦合到虚拟接地（V SUB SSi），两个PMOS上拉器件被有效地削弱。