公开(公告)号：US20090299512A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12469716

申请日：2009-05-21

申请人： Junichi TANAKA ,  Masaru KURIHARA ,  Masaru IZAWA ,  Hiromasa ARAI ,  Yoichi NAKAHARA ,  Takahiro MARUYAMA ,  Nobuo FUJIWARA

发明人： Junichi TANAKA ,  Masaru KURIHARA ,  Masaru IZAWA ,  Hiromasa ARAI ,  Yoichi NAKAHARA ,  Takahiro MARUYAMA ,  Nobuo FUJIWARA

IPC分类号： G05B13/04 ,  G06F17/00 ,  G06N5/04

CPC分类号： G05B17/02

摘要： In the manufacturing system and the manufacturing method of a semiconductor device using a plasma treatment apparatus, a plasma treatment condition is controlled so that a desired shape is obtained after the plasma processing by using a processing shape prediction model for calculating the shape after the plasma processing from the inspection data of a wafer to be treated prior to the treatment and a response surface model for calculating the processing shape depending on a plasma treatment condition. In this configuration, the processing shape prediction model has an adjustable prediction model coefficient, and this prediction model coefficient is automatically calibrated.

摘要翻译： 在使用等离子体处理装置的半导体装置的制造系统和制造方法中，通过使用等离子体处理后的形状计算处理形状预测模型等离子体处理后，控制等离子体处理条件，从而获得期望的形状 从处理前的待处理晶片的检查数据和根据等离子体处理条件计算处理形状的响应面模型。 在该配置中，处理形状预测模型具有可调节的预测模型系数，并且该预测模型系数被自动校准。