公开(公告)号：US20080132073A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11770983

申请日：2007-06-29

申请人： Hyo Geun Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Dong Joo Kim ,  Ji Yong Park ,  Yong Soo Jung ,  Geun Min Choi ,  Young Wok Song ,  Sang Hyun Lee

发明人： Hyo Geun Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Dong Joo Kim ,  Ji Yong Park ,  Yong Soo Jung ,  Geun Min Choi ,  Young Wok Song ,  Sang Hyun Lee

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155

摘要： An oxide pattern forming method comprises forming an oxide layer on a semiconductor substrate, implanting boron ions of not less than 1.0×1016 atoms/cm2 onto the oxide layer in a given region, and wet-etching the oxide layer in the remaining region where the boron ions are not implanted.

摘要翻译： 氧化物图案形成方法包括在半导体衬底上形成氧化物层，在给定的氧化物层中将不少于1.0×10 16原子/ cm 2的硼离子注入到氧化物层上 区域，并且在没有植入硼离子的剩余区域中湿法蚀刻氧化物层。

公开(公告)号：US07588996B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11770983

申请日：2007-06-29

申请人： Hyo Geun Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Dong Joo Kim ,  Ji Yong Park ,  Yong Soo Jung ,  Geun Min Choi ,  Young Wok Song ,  Sang Hyun Lee

发明人： Hyo Geun Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Dong Joo Kim ,  Ji Yong Park ,  Yong Soo Jung ,  Geun Min Choi ,  Young Wok Song ,  Sang Hyun Lee

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155

摘要： An oxide pattern forming method comprises forming an oxide layer on a semiconductor substrate, implanting boron ions of not less than 1.0×1016 atoms/cm2 onto the oxide layer in a given region, and wet-etching the oxide layer in the remaining region where the boron ions are not implanted.

摘要翻译： 氧化物图案形成方法包括在半导体衬底上形成氧化物层，在给定区域中的氧化物层上注入不少于1.0×10 16原子/ cm 2的硼离子，并在剩余的区域中湿法蚀刻氧化物层，其中硼 离子不被植入。