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1.

发明授权
Integrated circuit devices including stress proximity effects and methods of fabricating the same 有权
标题翻译：包括应力接近效应的集成电路器件及其制造方法

公开(公告)号：US09490177B2

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：US13617582

申请日：2012-09-14

申请人： Chang-Woo Oh , Myung-Gil Kang , Young-Chai Jung

发明人： Chang-Woo Oh , Myung-Gil Kang , Young-Chai Jung

IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/66 , H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/66636 , H01L29/7848

摘要： An integrated circuit can include first and second FETs of a particular conductivity type on a substrate, wherein a first source/drain region of the first FET is closer to a center of a first channel region of the first FET than a second source/drain region of the second FET is to a center of a second channel region of the second FET.

摘要翻译： 集成电路可以包括在衬底上的特定导电类型的第一和第二FET，其中第一FET的第一源极/漏极区域比第二源极/漏极区域更靠近第一FET的第一沟道区域的中心的第二FET的第二沟道区的中心。

2.

发明申请
Integrated Circuit Devices Including Stress Proximity Effects and Methods of Fabricating the Same 有权
标题翻译：包括应力接近效应的集成电路器件及其制造方法

公开(公告)号：US20130285143A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13617582

申请日：2012-09-14

申请人： Chang-Woo Oh , Myung-Gil Kang , Young-Chai Jung

发明人： Chang-Woo Oh , Myung-Gil Kang , Young-Chai Jung

IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/66636 , H01L29/7848

摘要： An integrated circuit can include first and second FETs of a particular conductivity type on a substrate, wherein a first source/drain region of the first FET is closer to a center of a first channel region of the first FET than a second source/drain region of the second FET is to a center of a second channel region of the second FET.

摘要翻译： 集成电路可以包括在衬底上的特定导电类型的第一和第二FET，其中第一FET的第一源极/漏极区域比第二源极/漏极区域更靠近第一FET的第一沟道区域的中心的第二FET的第二沟道区的中心。