公开(公告)号：US07589005B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11537157

申请日：2006-09-29

申请人： Chia-Tsung Tso ,  Hann-Ru Chen ,  Yu-Hsiang Fa

发明人： Chia-Tsung Tso ,  Hann-Ru Chen ,  Yu-Hsiang Fa

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/78

摘要： A method and system for forming a semiconductor structure includes forming at least one material layer over a substrate. At least one portion of the material layer is etched with at least one first precursor, thereby defining at least one material pattern. Charges attached to the material pattern are removed with at least one discharge gas.

摘要翻译： 用于形成半导体结构的方法和系统包括在衬底上形成至少一个材料层。 用至少一个第一前体蚀刻材料层的至少一部分，从而限定至少一种材料图案。 用至少一种放电气体除去附着在材料图案上的电荷。

公开(公告)号：US20080081441A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11537157

申请日：2006-09-29

申请人： Chia-Tsung Tso ,  Hann-Ru Chen ,  Yu-Hsiang Fa

发明人： Chia-Tsung Tso ,  Hann-Ru Chen ,  Yu-Hsiang Fa

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/78

摘要： A method and system for forming a semiconductor structure includes forming at least one material layer over a substrate. At least one portion of the material layer is etched with at least one first precursor, thereby defining at least one material pattern. Charges attached to the material pattern are removed with at least one discharge gas.

摘要翻译： 用于形成半导体结构的方法和系统包括在衬底上形成至少一个材料层。 用至少一个第一前体蚀刻材料层的至少一部分，从而限定至少一种材料图案。 用至少一种放电气体除去附着在材料图案上的电荷。