公开(公告)号：US5968846A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US152379

申请日：1998-09-14

申请人： Hsiao-Pang Chou ,  Jung-Chao Chiao ,  Yu-Ju Hsiung

发明人： Hsiao-Pang Chou ,  Jung-Chao Chiao ,  Yu-Ju Hsiung

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： A etchant recipe including a mixed gas of one of a CH.sub.x F.sub.y group and CO gas is used to etch a silicon nitride layer by plasma etching so as to form a thin polymer layer to protect a silicon layer under the silicon nitride layer from over-etching. Then a soft etching is performed to remove the thin polymer. The etchant recipe is, for example, used in forming a contact opening on a gate of a MOS transistor, on which a silicon nitride layer is formed.

摘要翻译： 使用包括CH x F y基团和CO气体之一的混合气体的蚀刻剂配方通过等离子体蚀刻来蚀刻氮化硅层，以形成薄的聚合物层，以保护氮化硅层下的硅层免受过度蚀刻。 然后进行软蚀刻以除去薄聚合物。 蚀刻剂配方例如用于在形成有氮化硅层的MOS晶体管的栅极上形成接触开口。