公开(公告)号：US06440844B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09111799

申请日：1998-07-08

申请人： Hideo Takagi ,  Kiyoshi Izumi ,  Wataru Futo ,  Satoshi Otsuka ,  Shigetaka Uji ,  Masataka Hoshino ,  Yukihiro Satoh ,  Koji Endo ,  Yuzuru Ohta ,  Nobuhiro Misawa

发明人： Hideo Takagi ,  Kiyoshi Izumi ,  Wataru Futo ,  Satoshi Otsuka ,  Shigetaka Uji ,  Masataka Hoshino ,  Yukihiro Satoh ,  Koji Endo ,  Yuzuru Ohta ,  Nobuhiro Misawa

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming copper wiring; reducing an oxide film on the surface of the copper wiring by heating the copper wiring to a temperature in a range of 250° C.-450° C. under reductive gas or by treating the copper wiring in plasma of reductive gas; and then forming a film of a material not containing oxygen on the copper wiring without exposing the copper wiring to external atmosphere, and can provide a semiconductor device with good copper wiring.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括形成铜布线的步骤; 通过在还原性气体下将铜布线加热到250℃-450℃的温度，或者通过处理还原气体的等离子体中的铜布线来减少铜布线表面上的氧化膜; 然后在铜布线上形成不含氧的材料的膜，而不将铜布线暴露于外部大气，并且可以提供具有良好铜布线的半导体器件。