公开(公告)号：US20110168970A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12920950

申请日：2009-03-05

申请人： Zoran Salcic ,  Fei Chen ,  Wei Gao ,  Wong C. Cheong ,  Franck Chollet

发明人： Zoran Salcic ,  Fei Chen ,  Wei Gao ,  Wong C. Cheong ,  Franck Chollet

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/26

CPC分类号： H05B33/18 ,  H05B33/145 ,  H05B33/20

摘要： A light emitting structure comprising a hot electron source and a layer of ptoelectronic material disposed thereon and optionally p-type material disposed on the optoelectronic material. For example, a light emitting structure that comprises, in order, a polycrystalline silicon layer, a silicon dioxide layer, a zinc oxide layer and an indium tin oxide (ITO) layer. When a sufficient voltage is applied across the layers, light is generated.

摘要翻译： 一种发光结构，包括热电子源和设置在其上的电子材料层，以及可选地配置在光电子材料上的p型材料。 例如，依次包括多晶硅层，二氧化硅层，氧化锌层和氧化铟锡（ITO）层的发光结构。 当跨层施加足够的电压时，产生光。