公开(公告)号：US20100308902A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12762456

申请日：2010-04-19

申请人： Santiago IRIARTE ,  Alberto MARINAS ,  Colm DONOVAN ,  Eduardo MARTINEZ

发明人： Santiago IRIARTE ,  Alberto MARINAS ,  Colm DONOVAN ,  Eduardo MARTINEZ

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： G05F3/30 ,  G05F3/20

摘要： A reference voltage generator circuit may include at least one MOS transistor and at least one bipolar transistor coupled together to provide an electrical path from an input reference potential to an output of the generator circuit. The electrical path may extend through a gate-to-source path of the MOS transistor and further through a base-to-emitter path of the bipolar transistor. The MOS transistor may be biased by a bias current that is proportional to T2·μ(T), where T represents absolute temperature and μ(T) represents mobility of a MOS transistor in the bias current generator. Optionally, the reference voltage generator may include N MOS and M multiple bipolar transistors (N≧1, M≧1), and the output reference voltage may be N*VGS+M*VBE as compared to the input reference potential.

摘要翻译： 参考电压发生器电路可以包括至少一个MOS晶体管和耦合在一起的至少一个双极晶体管，以提供从输入参考电位到发生器电路的输出的电路径。 电路可以延伸穿过MOS晶体管的栅极到源极的路径，并进一步穿过双极晶体管的基极到发射极的路径。 可以通过与T2·μ（T）成比例的偏置电流来偏置MOS晶体管，其中T表示绝对温度，μ（T）表示偏置电流发生器中MOS晶体管的迁移率。 可选地，参考电压发生器可以包括N个MOS和M个多极双极晶体管（N≥1，M≥1），并且与输入的参考电位相比，输出参考电压可以是N * VGS + M * VBE。

公开(公告)号：US20110163811A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12652442

申请日：2010-01-05

申请人： Alberto MARINAS ,  Santiago IRIARTE ,  Colm DONOVAN ,  Eduardo MARTINEZ

发明人： Alberto MARINAS ,  Santiago IRIARTE ,  Colm DONOVAN ,  Eduardo MARTINEZ

IPC分类号： H03F3/18

CPC分类号： H03F3/3023 ,  H03F2200/91 ,  H03F2203/30111

摘要： A system for a Class AB Amplifier output stage that includes a first push pull system connected to an output terminal including a first driving transistor coupled to the output terminal and a second push pull system connected to the output terminal including a second driving transistor coupled to the output terminal. The amplifier also includes a current mode amplifier where the current mode amplifier's output is coupled to the first driving transistor's gate. The amplifier further includes a pair of resistors, a first resistor coupled to a first input terminal of the current mode amplifier, a second resistor coupled to a second input terminal of the current mode amplifier and coupled to the second driving transistor.

摘要翻译： 一种用于AB类放大器输出级的系统，包括连接到输出端的第一推挽系统，所述第一推挽系统包括耦合到所述输出端子的第一驱动晶体管和连接到所述输出端子的第二推挽系统，所述第二推挽系统包括耦合到所述输出端 输出端子。 放大器还包括电流模式放大器，其中电流模式放大器的输出耦合到第一驱动晶体管的栅极。 放大器还包括一对电阻器，耦合到电流模式放大器的第一输入端子的第一电阻器，耦合到电流模式放大器的第二输入端子并耦合到第二驱动晶体管的第二电阻器。

公开(公告)号：US20120223688A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13112335

申请日：2011-05-20

申请人： Santiago IRIARTE ,  Alberto MARINAS

发明人： Santiago IRIARTE ,  Alberto MARINAS

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： G05F1/56 ,  G05F3/262

摘要： A low dropout voltage regulator (LDO) includes first and second amplifiers and a current mirror. The first amplifier includes a first input receiving a reference voltage and a second input receiving a voltage proportional to an output of the LDO. The current mirror includes an input current at a first end of the current mirror to an output current at a second end of the current mirror, the input current controlled by an output of the first amplifier and the output current being supplied to the output of the LDO. The second amplifier includes a first input coupled to the first end of the current mirror and a second input coupled to the second end of the current mirror.

摘要翻译： 低压差稳压器（LDO）包括第一和第二放大器和电流镜。 第一放大器包括接收参考电压的第一输入端和接收与LDO的输出成正比的电压的第二输入端。 电流镜包括在电流镜的第一端处的输入电流到电流镜的第二端处的输出电流，由第一放大器的输出控制的输入电流和输出电流被提供给电流镜的输出 我愿意。 第二放大器包括耦合到电流镜的第一端的第一输入和耦合到电流镜的第二端的第二输入。