公开(公告)号：US06573581B1

公开(公告)日：2003-06-03

申请号：US09762487

申请日：2001-02-07

申请人： Allan Richard Sugg ,  Michael John Lange ,  Martin Harris Ettenberg

发明人： Allan Richard Sugg ,  Michael John Lange ,  Martin Harris Ettenberg

IPC分类号： H01L2978

CPC分类号： H01L31/03042 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： In a semiconductor p-i-n photodiode an undoped absorption region (10) is epitaxially grown between two highly doped regions (14, 16). In prior art lattice matched InGaAs p-i-n photodiodes current epitaxial structures use low InP cap (16) doping (n˜2.5−6×1016/cm3), and nominally undoped (not intentionally doped, n˜1×1013−5×1014/cm3) InGaAs absorption regions (10). The shunt resistances of p-i-n photodiodes according to the present invention with intentional doping between n˜5×1017/cm3 and 1×1014/cm3, in the InGaAs absorption region (52, 60) are significantly increased over that of a standard structure (non-intentionally doped).

摘要翻译： 在半导体p-i-n光电二极管中，未掺杂的吸收区域（10）在两个高掺杂区域（14,16）之间外延生长。 在现有技术的晶格匹配的InGaAs pin光电二极管中，电流外延结构使用低InP帽（16）掺杂（n〜2.5-6×1016 / cm3），并且名义上未掺杂（非有意掺杂，n〜1×10 13 -5×10 14 / cm 3）的InGaAs吸收区域 ）。 根据本发明的pin光电二极管的分流电阻在InGaAs吸收区域（52,60）中有意掺杂在n = 5×10 17 / cm 3和1×10 14 / cm 3之间的分流电阻显着地比标准结构（非有意掺杂） 。