公开(公告)号：US07655514B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US12001806

申请日：2007-12-13

申请人： An-Ping Zhang ,  Larry B. Rowland ,  James W. Kretchmer ,  Jesse Tucker ,  Edmund B. Kaminsky

发明人： An-Ping Zhang ,  Larry B. Rowland ,  James W. Kretchmer ,  Jesse Tucker ,  Edmund B. Kaminsky

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/8128 ,  H01L29/1608

摘要： A silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor includes a bi-layer silicon carbide buffer for improving electron confinement in the channel region and/or a layer disposed over at least the channel region of the transistor for suppressing surface effects caused by dangling bonds and interface states. Also, a sloped MESA fabrication method which utilizes a dielectric etch mask that protects the MESA top surface during MESA processing and enables formation of sloped MESA sidewalls.

摘要翻译： 碳化硅金属半导体场效应晶体管包括用于改善沟道区域中的电子限制的双层碳化硅缓冲器和/或设置在晶体管的至少沟道区域上的层，用于抑制由悬挂键和界面引起的表面效应 状态。 而且，倾斜的MESA制造方法利用在MESA处理期间保护MESA顶表面的电介质蚀刻掩模，并且能够形成倾斜的MESA侧壁。

公开(公告)号：US07345309B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US10930584

申请日：2004-08-31

申请人： An-Ping Zhang ,  Larry B. Rowland ,  James W. Kretchmer ,  Jesse Tucker ,  Edmund B. Kaminsky

发明人： An-Ping Zhang ,  Larry B. Rowland ,  James W. Kretchmer ,  Jesse Tucker ,  Edmund B. Kaminsky

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L29/8128 ,  H01L29/1608

摘要： A silicon carbide metal semiconductor field-effect transistor includes a bi-layer silicon carbide buffer for improving electron confinement in the channel region and/or a layer disposed over at least the channel region of the transistor for suppressing surface effects caused by dangling bonds and interface states. Also, a sloped MESA fabrication method which utilizes a dielectric etch mask that protects the MESA top surface during MESA processing and enables formation of sloped MESA sidewalls.

摘要翻译： 碳化硅金属半导体场效应晶体管包括用于改善沟道区域中的电子限制的双层碳化硅缓冲器和/或设置在晶体管的至少沟道区域上的层，用于抑制由悬挂键和界面引起的表面效应 状态。 而且，倾斜的MESA制造方法利用在MESA处理期间保护MESA顶表面的电介质蚀刻掩模，并且能够形成倾斜的MESA侧壁。