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    Inverted isolation formed with spacers
    3.
    发明授权
    Inverted isolation formed with spacers 有权
    与隔离件形成反向隔离

    公开(公告)号：US06891229B2

    公开(公告)日：2005-05-10

    申请号：US10426296

    申请日：2003-04-30

    申请人： Andrea Franke ,  Jonathan Cobb ,  John M. Grant ,  Al T. Koh ,  Yeong-Jyh T. Lii ,  Bich-Yen Nguyen ,  Anna M. Phillips

    发明人： Andrea Franke ,  Jonathan Cobb ,  John M. Grant ,  Al T. Koh ,  Yeong-Jyh T. Lii ,  Bich-Yen Nguyen ,  Anna M. Phillips

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/01 ,  H01L29/00

    CPC分类号： H01L21/762

    摘要： A method of forming a semiconductor device so as to provide the device inverted isolation trenches with convex sidewalls. Initially, a plurality of composite isolation posts (50, 51) are formed on a substrate (40) through successive deposition, lithography, and etching steps. The posts comprise a bottom layer (501, 502) of silicon dioxide and an overlying etch-stop layer of silicon nitride (502, 512). An insulating material (60) is then deposited over the isolation posts and areas of the substrate. Isolation structures (70,71) are established by etching the insulating material to form convex sidewall spacers (701,702, 711, 712) at the vertical walls of the isolation posts. Active areas (80) between spacers are filled with semiconductor material. In an embodiment, a strained cap layer (101) may be imposed on the active areas. The strained cap layer has a lattice constant that is different from the lattice constant of the semiconductor material.

    摘要翻译： 一种形成半导体器件以便提供具有凸形侧壁的器件反向隔离沟槽的方法。 最初，通过连续沉积，光刻和蚀刻步骤，在基板（40）上形成多个复合隔离柱（50,51）。 柱包括二氧化硅的底层（501,502）和上覆的氮化硅蚀刻停止层（502,512）。 然后将绝缘材料（60）沉积在衬底的隔离柱和区域上。 通过蚀刻绝缘材料以在隔离柱的垂直壁处形成凸形侧壁间隔件（701,702,711,712）来建立隔离结构（70,71）。 间隔物之间​​的有源区（80）填充有半导体材料。 在一个实施例中，应变盖层（101）可以施加在活动区域​​上。 应变盖层具有与半导体材料的晶格常数不同的晶格常数。