公开(公告)号：US20150137198A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：US14609107

申请日：2015-01-29

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Ji-Yin Tsai ,  Yao-Tsung Huang ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  Y10S438/933

摘要： A method includes forming a gate stack over a semiconductor region, and recessing the semiconductor region to form a recess adjacent the gate stack. A silicon-containing semiconductor region is epitaxially grown in the recess to form a source/drain stressor. Arsenic is in-situ doped during the step of epitaxially growing the silicon-containing semiconductor region.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体区域上形成栅极叠层，并使半导体区域凹陷以形成邻近栅叠层的凹陷。 在凹部中外延生长含硅半导体区域以形成源极/漏极应力源。 在外延生长含硅半导体区域的步骤期间，砷原位被掺杂。

公开(公告)号：US20140138135A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14144789

申请日：2013-12-31

申请人： NanoGram Corporation

发明人： Henry Hieslmair ,  Vladimir K. Dioumaev ,  Shivkumar Chiruvolu ,  Hui Du

IPC分类号： H05K1/09 ,  C09D11/00

CPC分类号： H05K1/097 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/3081 ,  C09D11/30 ,  C09D11/38 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/786 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/24909

摘要： Highly uniform silicon/germanium nanoparticles can be formed into stable dispersions with a desirable small secondary particle size. The silicon/germanium particles can be surface modified to form the dispersions. The silicon/germanium nanoparticles can be doped to change the particle properties. The dispersions can be printed as an ink for appropriate applications. The dispersions can be used to form selectively doped deposits of semiconductor materials such as for the formation of photovoltaic cells or for the formation of printed electronic circuits.

摘要翻译： 高度均匀的硅/锗纳米颗粒可以形成具有所需小二次粒径的稳定分散体。 硅/锗颗粒可以被表面改性以形成分散体。 可以掺杂硅/锗纳米颗粒以改变颗粒性质。 分散体可以印刷为适合应用的油墨。 分散体可以用于形成半导体材料的选择性掺杂沉积物，例如用于形成光伏电池或用于形成印刷的电子电路。

公开(公告)号：US08399878B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US13595234

申请日：2012-08-27

申请人： Henry Hieslmair ,  Shivkumar Chiruvolu ,  Hui Du

发明人： Henry Hieslmair ,  Shivkumar Chiruvolu ,  Hui Du

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/786

CPC分类号： H05K1/097 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/3081 ,  C09D11/30 ,  C09D11/38 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/786 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/24909

摘要： Highly uniform silica nanoparticles can be formed into stable dispersions with a desirable small secondary particle size. The silica particles can be surface modified to form the dispersions. The silica nanoparticles can be doped to change the particle properties and/or to provide dopant for subsequent transfer to other materials. The dispersions can be printed as an ink for appropriate applications. The dispersions can be used to selectively dope semiconductor materials such as for the formation of photovoltaic cells or for the formation of printed electronic circuits.

摘要翻译： 高度均匀的二氧化硅纳米颗粒可以形成具有所需的小二次粒径的稳定分散体。 二氧化硅颗粒可以被表面改性以形成分散体。 可以掺杂二氧化硅纳米颗粒以改变颗粒性质和/或提供掺杂剂用于随后转移到其它材料。 分散体可以印刷为适合应用的油墨。 分散体可以用于选择性地掺杂半导体材料，例如用于形成光伏电池或用于形成印刷电子电路。

公开(公告)号：US08242555B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12700913

申请日：2010-02-05

申请人： Hussein I. Hanafi

发明人： Hussein I. Hanafi

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  Y10S438/933

摘要： Methods, devices and systems for a FinFET are provided. One method embodiment includes forming a FinFET by forming a relaxed silicon germanium (Si1-XGeX) body region for a fully depleted Fin field effect transistor (FinFET) having a body thickness of at least 10 nanometers (nm) for a process design rule of less than 25 nm. The method also includes forming a source and a drain on opposing ends of the body region, wherein the source and the drain are formed with halo ion implantation and forming a gate opposing the body region and separated therefrom by a gate dielectric.

摘要翻译： 提供了FinFET的方法，器件和系统。 一种方法实施方案包括通过形成体积为至少10纳米（nm）的完全耗尽的Fin场效应晶体管（FinFET）的松弛硅锗（Si1-XGeX）体区域来形成FinFET，用于较小的工艺设计规则 超过25nm。 该方法还包括在体区域的相对端部上形成源极和漏极，其中源极和漏极形成有卤素离子注入，并形成与体区相对的栅极，并通过栅极电介质分离。

公开(公告)号：US08222657B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12708104

申请日：2010-02-18

申请人： Jian Xu ,  Somasundaram Ashok

发明人： Jian Xu ,  Somasundaram Ashok

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L33/34 ,  H01S5/3009 ,  H01S5/3031 ,  Y10S438/933

摘要： A light emitting apparatus may include a gate metal positioned between a p-type contact and an n-type contact, a gate oxide or other dielectric stack positioned below and attached to the gate metal, a Ge or Si1-zGez channel positioned below and attached to the gate dielectric stack, a buffer, and a silicon substrate positioned below and attached to the buffer. The light emitting apparatus may alternatively include a gate metal positioned between a p-type contact and an n-type contact, a wide bandgap semiconductor positioned below and attached to the gate metal, a Ge or Si1-zGez channel positioned below and attached to the wide bandgap semiconductor, a buffer, and a silicon substrate positioned below and attached to the buffer. Embodiments of the light emitting apparatus may be configured for use in current-injected on-chip lasers, light emitting diodes or other light emitting devices.

摘要翻译： 发光装置可以包括位于p型接触和n型接触之间的栅极金属，位于栅极金属下方并连接到栅极金属的栅极氧化物或其它电介质堆叠，位于下方并连接的Ge或Si1-zGez通道 到位于缓冲器下方并附着于栅极电介质叠层的缓冲器和硅衬底。 发光装置可以替代地包括位于p型接触和n型接触之间的栅极金属，位于栅极金属下方并连接到栅极金属的宽带隙半导体，位于下方并连接到栅极金属的Ge或Si1-zGez通道 宽带隙半导体，缓冲器和位于缓冲器下方并附着于其上的硅衬底。 发光装置的实施例可以被配置为用于电流注入的片上激光器，发光二极管或其他发光器件。

公开(公告)号：US08067297B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US11642167

申请日：2006-12-20

申请人： Michael A. Todd

发明人： Michael A. Todd

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： Chemical vapor deposition processes utilize higher order silanes and germanium precursors as chemical precursors. The processes have high deposition rates yet produce more uniform films, both compositionally and in thickness, than films prepared using conventional chemical precursors. In preferred embodiments, trisilane is employed to deposit SiGe-containing films that are useful in the semiconductor industry in various applications such as transistor gate electrodes.

摘要翻译： 化学气相沉积工艺利用高阶硅烷和锗前体作为化学前体。 这些方法具有高的沉积速率，但是与使用常规化学前体制备的膜相比，在组成和厚度方面产生更均匀的膜。 在优选的实施方案中，使用丙硅烷沉积在诸如晶体管栅电极的各种应用中可用于半导体工业中的含SiGe的膜。

公开(公告)号：US08058133B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12273517

申请日：2008-11-18

申请人： Chen-Hua Tsai ,  Bang-Chiang Lan ,  Yu-Hsin Lin ,  Yi-Cheng Liu ,  Cheng-Tzung Tsai

发明人： Chen-Hua Tsai ,  Bang-Chiang Lan ,  Yu-Hsin Lin ,  Yi-Cheng Liu ,  Cheng-Tzung Tsai

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  Y10S438/931 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

摘要： A method of fabrication of a metal oxide semiconductor field effect transistor includes first providing a substrate on which a gate structure is formed. Afterwards, a portion of the substrate is removed to form a first recess in the substrate at both ends of the gate structure. Additionally, a source/drain extension layer is deposited in the first recess and a number of spacers are formed at both ends of the gate structure. Subsequently, a portion of the source/drain extension and the substrate are removed to form a second recess in the source/drain extension and a portion of the substrate outside of the spacer. In addition, a source/drain layer is deposited in the second recess. Because the source/drain extension and the source/drain layer have specific materials and structures, short channel effect is improved and the efficiency of the metal oxide semiconductor field effect transistor is improved.

摘要翻译： 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法包括首先提供其上形成有栅极结构的衬底。 之后，去除衬底的一部分以在栅极结构的两端形成衬底中的第一凹槽。 另外，源极/漏极延伸层沉积在第一凹槽中，并且在栅极结构的两端形成多个间隔物。 随后，去除源极/漏极延伸部分和衬底的一部分以在源极/漏极延伸部中形成第二凹部，并且在衬垫的外部形成衬底的一部分。 另外，源极/漏极层沉积在第二凹部中。 由于源极/漏极延伸部和源极/漏极层具有特定的材料和结构，因此提高了沟道效应，提高了金属氧化物半导体场效应晶体管的效率。

公开(公告)号：US08034208B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12276112

申请日：2008-11-21

申请人： Hubert Moriceau ,  Jean-Claude Roussin

发明人： Hubert Moriceau ,  Jean-Claude Roussin

IPC分类号： B29C65/00 ,  B32B37/00 ,  B32B38/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01F10/24 ,  C30B29/28 ,  C30B29/36 ,  H01F41/34 ,  H01L21/76254 ,  H01L43/12 ,  Y10S438/933

摘要： A method of transferring a layer of a first material onto a second substrate of a second material includes, a step of forming a first embrittlement plane in a first substrate in first material, by a first ion and/or atom implantation through a first face of said substrate, a step of forming a second embrittlement plane in said first substrate, by a first ion and/or atom implantation through a second face of said substrate, in order to reduce a curvature of this first substrate, a step of assembling the first and second substrates, and a step of separating a layer from the first substrate at the level of the first embrittlement plane, without separation at the level of the second embrittlement plane.

摘要翻译： 将第一材料层转移到第二材料的第二衬底上的方法包括：通过第一离子和/或原子注入在第一材料中的第一衬底中形成第一脆化面的步骤， 所述衬底是通过所述衬底的第二面通过第一离子和/或原子注入在所述第一衬底中形成第二脆化面的步骤，以便减小所述第一衬底的曲率， 和第二基板，以及在第一脆化平面的水平处从第一基板分离层而不在第二脆化面的水平分离的步骤。

公开(公告)号：US08012592B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11591333

申请日：2006-11-01

申请人： Eugene A. Fitzgerald

发明人： Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B13/04 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/143 ,  H01L31/162 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and structures for monolithically integrating monocrystalline silicon and monocrystalline non-silicon materials and devices are provided. In one structure, a semiconductor structure includes a silicon substrate and a first monocrystalline semiconductor layer disposed over the silicon substrate, wherein the first monocrystalline semiconductor layer has a lattice constant different from a lattice constant of relaxed silicon. The semiconductor structure further includes an insulating layer disposed over the first monocrystalline semiconductor layer in a first region, a monocrystalline silicon layer disposed over the insulating layer in the first region, and a second monocrystalline semiconductor layer disposed over at least a portion of the first monocrystalline semiconductor layer in a second region and absent from the first region. The second monocrystalline semiconductor layer has a lattice constant different from the lattice constant of relaxed silicon.

摘要翻译： 提供了单晶硅和单晶非硅材料和器件单片集成的方法和结构。 在一种结构中，半导体结构包括硅衬底和设置在硅衬底上的第一单晶半导体层，其中第一单晶半导体层具有与松弛硅的晶格常数不同的晶格常数。 半导体结构还包括设置在第一区域中的第一单晶半导体层上的绝缘层，设置在第一区域中的绝缘层上的单晶硅层和设置在第一单晶的至少一部分上的第二单晶半导体层 半导体层在第二区域中并且不存在于第一区域中。 第二单晶半导体层具有与松弛硅的晶格常数不同的晶格常数。

公开(公告)号：US07993947B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US13011596

申请日：2011-01-21

申请人： Henry Hieslmair ,  Shivkumar Chiruvolu ,  Hui Du

发明人： Henry Hieslmair ,  Shivkumar Chiruvolu ,  Hui Du

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H05K1/097 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/3081 ,  C09D11/30 ,  C09D11/38 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/786 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/24909

摘要： Highly uniform silica nanoparticles can be formed into stable dispersions with a desirable small secondary particle size. The silican particles can be surface modified to form the dispersions. The silica nanoparticles can be doped to change the particle properties and/or to provide dopant for subsequent transfer to other materials. The dispersions can be printed as an ink for appropriate applications. The dispersions can be used to selectively dope semiconductor materials such as for the formation of photovoltaic cells or for the formation of printed electronic circuits.

摘要翻译： 高度均匀的二氧化硅纳米颗粒可以形成具有所需的小二次粒径的稳定的分散体。 硅胶颗粒可以被表面改性以形成分散体。 可以掺杂二氧化硅纳米颗粒以改变颗粒性质和/或提供掺杂剂用于随后转移到其它材料。 分散体可以印刷为适合应用的油墨。 分散体可以用于选择性地掺杂半导体材料，例如用于形成光伏电池或用于形成印刷电子电路。