公开(公告)号：US5432123A

公开(公告)日：1995-07-11

申请号：US153861

申请日：1993-11-16

申请人： Andrew G. Dentai ,  Fumio Koyama ,  Kang-Yi Liou

发明人： Andrew G. Dentai ,  Fumio Koyama ,  Kang-Yi Liou

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/227 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50 ,  H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/50

摘要： A monolithically integrated electroabsorption modulator/optical amplifier is described which is prepared using a lateral bandgap control technique with a planar III-V compund semiconductor substrate. The described device evidences a bandgap shift in excess of 60 nanometers, so indicating its applicability for integration of modulators and lasers or amplifiers. The device is fabricated by atmospheric pressure metal organic condensed vapor deposition growth of gallium indium arsenise/gallium indium aresenide phosphide strained quantum wells on ridges deposited on the substrate.

摘要翻译： 描述了使用具有平面III-V组合半导体衬底的横向带隙控制技术制备的单片集成电吸收调制器/光放大器。 所描述的器件证明带隙偏移超过60纳米，因此表明其适用于调制器和激光器或放大器的集成。 该器件通过沉积在衬底上的脊上的镓铟砷/镓铟砷化物磷化物应变量子阱的大气压金属有机冷凝气相沉积生长来制造。