公开(公告)号：US20120191900A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13351582

申请日：2012-01-17

申请人： Atsushi KUNIMATSU ,  Masaki MIYAGAWA ,  Hiroshi NOZUE ,  Kazuhiro KAWAGOME ,  Hiroto NAKAI ,  Hiroyuki SAKAMOTO ,  Tsutomu OWA ,  Tsutomu UNESAKI ,  Reina NISHINO ,  Kenichi MAEDA ,  Mari TAKADA

发明人： Atsushi KUNIMATSU ,  Masaki MIYAGAWA ,  Hiroshi NOZUE ,  Kazuhiro KAWAGOME ,  Hiroto NAKAI ,  Hiroyuki SAKAMOTO ,  Tsutomu OWA ,  Tsutomu UNESAKI ,  Reina NISHINO ,  Kenichi MAEDA ,  Mari TAKADA

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0223 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/06 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/205 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7208

摘要： A memory management device of an example of the invention controls writing into and reading from a main memory including a nonvolatile semiconductor memory and a volatile semiconductor memory in response to a writing request and a reading request from a processor. The memory management device includes a coloring information storage unit that stores coloring information generated based on a data characteristic of write target data to be written into at least one of the nonvolatile semiconductor memory and the volatile semiconductor memory, and a writing management unit that references the coloring information to determines a region into which the write target data is written from the nonvolatile semiconductor memory and the volatile semiconductor memory.

摘要翻译： 本发明实施例的存储器管理装置响应于来自处理器的写入请求和读取请求，控制对包括非易失性半导体存储器和易失性半导体存储器的主存储器的写入和读取。 存储器管理装置包括着色信息存储单元，该着色信息存储单元存储基于要写入到非易失性半导体存储器和易失性半导体存储器中的至少一个的写入目标数据的数据特性而生成的着色信息;以及写入管理单元， 着色信息以确定从非易失性半导体存储器和易失性半导体存储器写入写目标数据的区域。

公开(公告)号：US20120030428A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13052203

申请日：2011-03-21

申请人： Kenta YASUFUKU ,  Masaki MIYAGAWA ,  Goh UEMURA ,  Tsutomu OWA ,  Tsutomu UNESAKI ,  Atsushi KUNIMATSU

发明人： Kenta YASUFUKU ,  Masaki MIYAGAWA ,  Goh UEMURA ,  Tsutomu OWA ,  Tsutomu UNESAKI ,  Atsushi KUNIMATSU

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0893 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/126 ,  G06F2212/2022

摘要： According to one embodiment, an information processing device includes a first determination section and a setting section. The first determination section determines inconsistency between first data and second data. The first data is stored in a nonvolatile semiconductor memory. The second data is corresponding to the first data and stored in a semiconductor memory. The setting section sets execution timing of write back based on access frequency information associated with the second data.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息处理设备包括第一确定部分和设置部分。 第一确定部分确定第一数据和第二数据之间的不一致性。 第一数据存储在非易失性半导体存储器中。 第二数据对应于第一数据并存储在半导体存储器中。 设置部分基于与第二数据相关联的访问频率信息来设置回写的执行定时。

公开(公告)号：US20120072698A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13234197

申请日：2011-09-16

申请人： Tsutomu UNESAKI ,  Yoshiyuki ENDO

发明人： Tsutomu UNESAKI ,  Yoshiyuki ENDO

IPC分类号： G06F12/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

摘要： According to one embodiment, a memory management device includes a history management unit, an address translation table, an address management unit, and a data management unit. The history management unit manages an access history for data stored in a nonvolatile semiconductor memory. The address translation table includes a translation table of a logical address and a physical address corresponding to the data. The address management unit specifies, based on the access history, second data to be accessed after access to first data being stored in the nonvolatile semiconductor memory, and registers a second physical address corresponding to the second data in the address translation table in association with a first logical address corresponding to the first data. The data management unit reads out the second data from the nonvolatile semiconductor memory to a buffer.

摘要翻译： 根据一个实施例，存储器管理装置包括历史管理单元，地址转换表，地址管理单元和数据管理单元。 历史管理单元管理存储在非易失性半导体存储器中的数据的访问历史。 地址转换表包括与数据对应的逻辑地址和物理地址的转换表。 地址管理单元基于访问历史来指定在访问存储在非易失性半导体存储器中的第一数据之后要访问的第二数据，并且将与第二数据相对应的第二物理地址与地址转换表相关联地登记在地址转换表中 第一逻辑地址对应于第一数据。 数据管理单元将第二数据从非易失性半导体存储器读出到缓冲器。