公开(公告)号：US20130053291A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13214920

申请日：2011-08-22

申请人： Atsushi Otake ,  Paul R. Bernatis ,  Cass X. Shang

发明人： Atsushi Otake ,  Paul R. Bernatis ,  Cass X. Shang

IPC分类号： C11D3/60 ,  C11D7/60

CPC分类号： C11D3/36 ,  C11D3/361 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

摘要： A semiconductor processing composition and method for cleaning semiconductor wafers post chemical mechanical polishing comprising a phosphorous base and optionally at least one surfactant.

摘要翻译： 一种半导体处理组合物和用于清洁化学机械抛光后的半导体晶片的方法，其包括磷基和任选的至少一种表面活性剂。

公开(公告)号：US20090203566A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12403600

申请日：2009-03-13

申请人： Wai Mun Lee ,  Cass X. Shang ,  Atsushi Otake ,  Akira Kuroda ,  Takanori Matsumoto ,  Hisashi Takeda

发明人： Wai Mun Lee ,  Cass X. Shang ,  Atsushi Otake ,  Akira Kuroda ,  Takanori Matsumoto ,  Hisashi Takeda

IPC分类号： C11D1/68

CPC分类号： C11D3/30 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02071

摘要： A composition that includes 2-(2-aminoethylamino)-ethanol, at least one of a chelating agent and a corrosion inhibitor, and water. The composition is capable of removing organic, organometallic and metal oxide residues from semiconductor substrates. The invention also relates to a method of removing etching residue from a semiconductor substrate.

摘要翻译： 包含2-（2-氨基乙基氨基） - 乙醇，螯合剂和缓蚀剂中的至少一种和水的组合物。 该组合物能够从半导体衬底去除有机金属和金属氧化物残留物。 本发明还涉及从半导体衬底去除蚀刻残留物的方法。