公开(公告)号：US20070141850A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11565227

申请日：2006-11-30

申请人： Audrey Dupont ,  Kristin Schupke ,  Stefan Jakschik ,  Alejandro Avellan

发明人： Audrey Dupont ,  Kristin Schupke ,  Stefan Jakschik ,  Alejandro Avellan

IPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31111 ,  C09K13/08

摘要： A semiconductor product includes an exposed Hafnium-containing layer. The Hafnium-containing layer is treated with a solution that includes a low ionic strength organic substance.

摘要翻译： 半导体产品包括暴露的含铪层。 含铪层用包含低离子强度有机物质的溶液处理。

公开(公告)号：US20070012662A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11184060

申请日：2005-07-18

申请人： Audrey Dupont ,  Kristin Schupke ,  Stefan Jakschik ,  Alejandro Avellan

发明人： Audrey Dupont ,  Kristin Schupke ,  Stefan Jakschik ,  Alejandro Avellan

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  B44C1/22 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111 ,  C09K13/08

摘要： It is one object to devise a solution which is suitable for a wet treatment of Hafnium containing high-k materials. Furthermore, it is an object to devise a use of this solution in the field of semiconductor device manufacturing. It is also an objective of the invention to devise a process to this aim.

摘要翻译： 一个目的是设计一种适用于湿法处理含有高k材料的铪的溶液。 此外，本发明的目的是在半导体器件制造领域中设计出该解决方案。 本发明的目的还在于为此目的设计一个过程。

公开(公告)号：US07008853B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US11066320

申请日：2005-02-25

申请人： Audrey Dupont ,  Ronald Hoyer

发明人： Audrey Dupont ,  Ronald Hoyer

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/10852

摘要： Systems and methods include introducing a semiconductor wafer into a process chamber. An etching chemistry is injected into the process chamber to etch a patterned layer and to release free-standing nanostructures on the semiconductor wafer. The etching chemistry includes a supercritical or liquid carbon dioxide fluid and an etching solution. The semiconductor wafer is rinsed by flooding a supercritical or liquid carbon dioxide fluid into the process chamber. The semiconductor wafer is dried by venting out supercritical or liquid carbon dioxide fluid from the process chamber.

摘要翻译： 系统和方法包括将半导体晶片引入处理室。 将蚀刻化学品注入到处理室中以蚀刻图案化层并释放半导体晶片上的独立的纳米结构。 蚀刻化学品包括超临界或液体二氧化碳流体和蚀刻溶液。 通过将超临界或液态二氧化碳流体浸入处理室来冲洗半导体晶片。 通过从处理室排出超临界或液体二氧化碳流体来干燥半导体晶片。

公开(公告)号：US20060270143A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11436376

申请日：2006-05-18

申请人： Matthias Goldbach ,  Clemens Fritz ,  Audrey Dupont

发明人： Matthias Goldbach ,  Clemens Fritz ,  Audrey Dupont

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L27/10888

摘要： A method for manufacturing contact structures for DRAM semiconductor memories is disclosed. In one embodiment, contact openings are formed in a support area after execution of high-temperature processes for activating doping agents and repairing crystal defects. A low contact resistance between a conductive contact opening filling and an adjacent semiconductor substrate is achieved by forming a cobalt silicide or nickel silicide.

摘要翻译： 公开了一种制造用于DRAM半导体存储器的接触结构的方法。 在一个实施例中，在执行激活掺杂剂的高温处理和修复晶体缺陷之后，在支撑区域中形成接触开口。 通过形成硅化钴或硅化镍，可实现导电接触开口填充和相邻半导体衬底之间的低接触电阻。

公开(公告)号：US20060194404A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11325631

申请日：2006-01-05

申请人： Audrey Dupont ,  Ronald Hoyer

发明人： Audrey Dupont ,  Ronald Hoyer

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/10852

摘要： Systems and methods include introducing a semiconductor wafer into a process chamber. An etching chemistry is injected into the process chamber to etch a patterned layer and to release free-standing nanostructures on the semiconductor wafer. The etching chemistry includes a supercritical or liquid carbon dioxide fluid and an etching solution. The semiconductor wafer is rinsed by flooding a supercritical or liquid carbon dioxide fluid into the process chamber. The semiconductor wafer is dried by venting out supercritical or liquid carbon dioxide fluid from the process chamber.

摘要翻译： 系统和方法包括将半导体晶片引入处理室。 将蚀刻化学品注入到处理室中以蚀刻图案化层并释放半导体晶片上的独立的纳米结构。 蚀刻化学品包括超临界或液体二氧化碳流体和蚀刻溶液。 通过将超临界或液态二氧化碳流体浸入处理室来冲洗半导体晶片。 通过从处理室排出超临界或液体二氧化碳流体来干燥半导体晶片。