Abstract:
A TECHNIQUE FOR THE PREPARATION IRON OXIDE FILMS DESTINED FOR USE AS PHOTOMASKS FOR THIN FILM AND SEMICONDUCTOR PROCESSING INVOLVES SPUTTERING IRON OXIDE IN A CARBON DIOXIDE AMBIENT UPON AN ELECTRICALLY ISOLATED SUBSTRATE MEMBER.
Abstract translation:1346814溅射氧化铁WESTERN ELECTRIC CO公司1971年6月9日[1970年6月15日] 19691/71标题C7F [也在G2部分]光掩模是通过阴极溅射基底上的一层氧化铁在包含至少3% 体积二氧化碳,然后蚀刻。 优选将亚铁或三氧化铁(例如,3480A厚的Fe 2 O 3膜)溅射到冷却的玻璃基板上,在3-100%CO 2的气氛中任选与稀有气体混合,使用10 - 1 SP>至10 -3 SP> Torr,使用1-5kV的DC偏置RF电位和至少0-1兆兆频率。