公开(公告)号：US20090231909A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12083398

申请日：2006-10-13

申请人： Bernard Dieny ,  Anatoly Vedyaev ,  Jerome Faure-Vincent ,  Patrick Warin ,  Matthieu Jamet ,  Yves Samson

发明人： Bernard Dieny ,  Anatoly Vedyaev ,  Jerome Faure-Vincent ,  Patrick Warin ,  Matthieu Jamet ,  Yves Samson

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/15 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： The magnetic device comprises a magnetic device comprising a magnetoresistive tunnel junction (100), itself comprising: a reference magnetic layer (120) having magnetization in a direction that is fixed; a storage magnetic layer (110) having magnetization in a direction that is variable; and an intermediate layer (130) acting as a tunnel barrier that is essentially semiconductor or electrically insulating and that separates the reference magnetic layer (120) from the storage magnetic layer (110). The potential profile of the intermediate layer (130) is asymmetrical across the thickness of said layer (130) so as to produce a current response that is asymmetrical as a function of the applied voltage. The device is applicable to magnetic random access memories.

摘要翻译： 磁性装置包括磁性装置，该磁性装置包括磁阻隧道结（100），其自身包括：具有沿固定方向的磁化的参考磁性层（120） 存储磁性层（110），其具有在可变的方向上的磁化; 以及用作隧道势垒的中间层（130），其基本上是半导体或电绝缘的，并且将参考磁性层（120）与存储磁性层（110）分离。 中间层（130）的电位分布在所述层（130）的厚度上是不对称的，以便产生作为施加电压的函数的不对称的电流响应。 该器件适用于磁性随机存取存储器。