公开(公告)号：US09634237B2

公开(公告)日：2017-04-25

申请号：US14581361

申请日：2014-12-23

申请人： QUALCOMM Incorporated

发明人： Kangho Lee ,  Jimmy Kan ,  Xiaochun Zhu ,  Matthias Georg Gottwald ,  Chando Park ,  Seung Hyuk Kang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A material stack of a synthetic anti-ferromagnetic (SAF) reference layer of a perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ) may include an SAF coupling layer. The material stack may also include and an amorphous spacer layer on the SAF coupling layer. The amorphous spacer layer may include an alloy or multilayer of tantalum and cobalt or tantalum and iron or cobalt and iron and tantalum. The amorphous spacer layer may also include a treated surface of the SAF coupling layer.

公开(公告)号：US08300356B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12800196

申请日：2010-05-11

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

IPC分类号： G11B5/235 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/235 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/33 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01F1/0579 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/115

摘要： A spin transfer oscillator with a seed/SIL/spacer/FGL/capping configuration is disclosed with a composite seed layer made of Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying (A1/A2)X laminated spin injection layer (SIL). Field generation layer (FGL) is made of a high Bs material such FeCo. Alternatively, the STO has a seed/FGL/spacer/SIL/capping configuration. The SIL may include a FeCo layer that is exchanged coupled with the (A1/A2)X laminate (x is 5 to 50) to improve robustness. The FGL may include an (A1/A2)Y laminate (y=5 to 30) exchange coupled with the high Bs layer to enable easier oscillations. A1 may be one of Co, CoFe, or CoFeR where R is a metal, and A2 is one of Ni, NiCo, or NiFe. The STO may be formed between a main pole and trailing shield in a write head.

摘要翻译： 公开了具有种子/ SIL /间隔物/ FGL /覆盖构型的自旋转移振荡器，其具有由Ta制成的复合种子层和具有fcc（111）或hcp（001）结构的金属层，以增强垂直磁各向异性（PMA） 在叠层（A1 / A2）X层叠自旋注入层（SIL）中。 场发生层（FGL）由高Bs材料如FeCo制成。 或者，STO具有种子/ FGL /间隔物/ SIL /覆盖配置。 SIL可以包括与（A1 / A2）X层压体交换耦合的FeCo层（x为5至50）以改善坚固性。 FGL可以包括与高Bs层交换耦合的（A1 / A2）Y层叠体（y = 5〜30），以实现更容易的振荡。 A1可以是Co，CoFe或CoFeR中的一种，其中R是金属，A2是Ni，NiCo或NiFe之一。 STO可以形成在写入头中的主极和后屏蔽之间。

公开(公告)号：US08048492B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12086761

申请日：2006-12-20

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  H05H1/24 ,  H05H1/26 ,  C23C14/58 ,  H05H1/10 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01F41/305 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magnetoresistive effect element is produced by forming a first magnetic layer, a spacer layer including an insulating layer and a conductive layer which penetrates through the insulating layer and passes a current, on the first magnetic layer, and a second magnetic layer all of which or part of which is treated with ion, plasma or heat, on the formed spacer layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件通过在第一磁性层上形成第一磁性层，包括绝缘层的间隔层和穿过绝缘层并传导电流的导电层，以及第二磁性层， 其中一部分用离子，等离子体或热处理，形成间隔层。

公开(公告)号：US20090231909A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12083398

申请日：2006-10-13

申请人： Bernard Dieny ,  Anatoly Vedyaev ,  Jerome Faure-Vincent ,  Patrick Warin ,  Matthieu Jamet ,  Yves Samson

发明人： Bernard Dieny ,  Anatoly Vedyaev ,  Jerome Faure-Vincent ,  Patrick Warin ,  Matthieu Jamet ,  Yves Samson

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/15 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： The magnetic device comprises a magnetic device comprising a magnetoresistive tunnel junction (100), itself comprising: a reference magnetic layer (120) having magnetization in a direction that is fixed; a storage magnetic layer (110) having magnetization in a direction that is variable; and an intermediate layer (130) acting as a tunnel barrier that is essentially semiconductor or electrically insulating and that separates the reference magnetic layer (120) from the storage magnetic layer (110). The potential profile of the intermediate layer (130) is asymmetrical across the thickness of said layer (130) so as to produce a current response that is asymmetrical as a function of the applied voltage. The device is applicable to magnetic random access memories.

摘要翻译： 磁性装置包括磁性装置，该磁性装置包括磁阻隧道结（100），其自身包括：具有沿固定方向的磁化的参考磁性层（120） 存储磁性层（110），其具有在可变的方向上的磁化; 以及用作隧道势垒的中间层（130），其基本上是半导体或电绝缘的，并且将参考磁性层（120）与存储磁性层（110）分离。 中间层（130）的电位分布在所述层（130）的厚度上是不对称的，以便产生作为施加电压的函数的不对称的电流响应。 该器件适用于磁性随机存取存储器。

公开(公告)号：US07511927B2

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：US11282659

申请日：2005-11-21

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/305

摘要： A spin valve type magnetoresistive effect element for vertical electric conduction includes a magnetoresistive effect film in which a resistance adjustment layer made of a material containing conductive carriers not more than 1022/cm3 is inserted. Thus the resistance value of a portion in change of spin-relied conduction is raised to an adequate value, thereby to increase the resistance variable amount.

摘要翻译： 用于垂直导电的自旋阀型磁阻效应元件包括一个磁阻效应膜，其中插入由含有不大于1022 / cm3的导电载体的材料制成的电阻调节层。 因此，将自旋依赖导通变化的部分的电阻值提高到适当的值，从而增加电阻变化量。

公开(公告)号：US07463456B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11697885

申请日：2007-04-09

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/305

摘要： A spin valve type magnetoresistive effect element for vertical electric conduction includes a magnetoresistive effect film in which a resistance adjustment layer made of a material containing conductive carriers not more than 1022/cm3 is inserted. Thus the resistance value of a portion in change of spin-relied conduction is raised to an adequate valve, thereby to increase the resistance variable amount.

摘要翻译： 用于垂直导电的自旋阀型磁阻效应元件包括一个磁阻效应膜，其中插入由含有不大于1022 / cm3的导电载体的材料制成的电阻调节层。 因此，自旋导通的变化部分的电阻值上升到适当的阀，从而增加电阻变化量。

公开(公告)号：US20080080098A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11892890

申请日：2007-08-28

申请人： Hiromi Fuke ,  Susumu Hashimoto ,  Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hiromi Fuke ,  Susumu Hashimoto ,  Masayuki Takagishi ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/305 ,  H01L43/08

摘要： A magneto-resistance effect element includes: a first magnetization layer of which a magnetization is substantially fixed in one direction; a second magnetization layer of which a magnetization is rotated in accordance with an external magnetic field; an intermediate layer which contains insulating portions and magnetic metallic portions and which is provided between the the first magnetic layer and the second magnetic layer; and a pair of electrodes to flow current in a direction perpendicular to a film surface of a multilayered film made of the first magnetic layer, the intermediate layer and the second magnetic layer; wherein the magnetic metallic portions of the intermediate layer contain non-ferromagnetic metal.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括：第一磁化层，其一个方向基本上固定磁化; 磁化根据外部磁场旋转的第二磁化层; 中间层，其包含绝缘部分和磁性金属部分，并且设置在第一磁性层和第二磁性层之间; 以及一对电极，其在垂直于由第一磁性层，中间层和第二磁性层制成的多层膜的膜表面的方向上流动电流; 其中中间层的磁性金属部分含有非铁磁性金属。

公开(公告)号：US07218483B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US10175960

申请日：2002-06-21

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/305

摘要： A spin valve type magnetoresistive effect element for vertical electric conduction includes a magnetoresistive effect film in which a resistance adjustment layer made of a material containing conductive carriers not more than 1022/cm3 is inserted. Thus the resistance value of a portion in change of spin-relied conduction is raised to an adequate value, thereby to increase the resistance variable amount.

摘要翻译： 用于垂直导电的自旋阀型磁阻效应元件包括磁阻效应膜，其中由含有导电载体的材料制成的电阻调节层不大于10/22/3 / >被插入。 因此，将自旋依赖导通变化的部分的电阻值提高到适当的值，从而增加电阻变化量。

公开(公告)号：US09472752B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US14493416

申请日：2014-09-23

申请人： Headway Technologies, Inc.

发明人： Yu-Jen Wang ,  Witold Kula ,  Ru-Ying Tong ,  Guenole Jan

IPC分类号： H01L43/12 ,  G11B5/66 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  G11B5/84 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  H01F41/30 ,  H01L43/02 ,  H01F10/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/66 ,  G11B5/84 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/305 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H03B15/006 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1143

摘要： Enhanced Hc and Hk in addition to higher thermal stability up to at least 400° C. are achieved in magnetic devices by adding dusting layers on top and bottom surfaces of a spacer in a synthetic antiferromagnetic (SAF) structure to give a RL1/DL1/spacer/DL2/RL2 reference layer configuration where RL1 and RL2 layers exhibit perpendicular magnetic anisotropy (PMA), the spacer induces antiferromagnetic coupling between RL1 and RL2, and DL1 and DL2 are dusting layers that enhance PMA. Dusting layers are deposited at room temperature to 400° C. RL1 and RL2 layers are selected from laminates such as (Ni/Co)n, L10 alloys, or rare earth-transition metal alloys. The reference layer may be incorporated in STT-MRAM memory elements or in spintronic devices including a spin transfer oscillator. Dusting layers and a similar SAF design may be employed in a free layer for Ku enhancement and to increase the retention time of a memory cell for STT-MRAM designs.

摘要翻译： 通过在合成反铁磁（SAF）结构中在隔离物的顶表面和底表面上添加除尘层，可以在磁性器件中实现增强的Hc和Hk以及至多400℃的更高的热稳定性，从而得到RL1 / DL1 / 间隔/ DL2 / RL2参考层配置，其中RL1和RL2层表现出垂直的磁各向异性（PMA），间隔物引起RL1和RL2之间的反铁磁耦合，DL1和DL2是增强PMA的除尘层。 在室温至400℃下沉积除尘层。RL1和RL2层选自诸如（Ni / Co）n，L10合金或稀土 - 过渡金属合金的层压材料。 参考层可以并入STT-MRAM存储元件或包括自旋转移振荡器的自旋电子器件中。 可以在用于Ku增强的自由层中使用除尘层和类似的SAF设计，并且增加用于STT-MRAM设计的存储器单元的保留时间。

公开(公告)号：US20160284983A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：US15162059

申请日：2016-05-23

申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

IPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  G11B5/39 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

CPC分类号： G11B5/235 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/33 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/0024 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01F1/0579 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/305 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/115

摘要： A spin transfer oscillator (STO) with a seed/FGL/spacer/SIL/capping configuration is disclosed with a composite seed layer made of Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying (A1/A2)YFeCo laminated field generation layer (FGL). The spin injection layer (SIL) may be laminated with a (A1/A2)XFeCo configuration. The FeCo layer in the SIL is exchanged coupled with the (A1/A2)X laminate (x is 5 to 50) to improve robustness. The (A1/A2)Y laminate (y=5 to 30) in the FGL may be exchange coupled with a high Bs layer to enable easier oscillations. A1 may be one of Co, CoFe, or CoFeR where R is a metal, and A2 is one of Ni, NiCo, or NiFe. The STO is typically formed between a main pole and trailing shield in a write head.

摘要翻译： 公开了具有种子/ FGL /间隔物/ SIL /封盖结构的自旋转移振荡器（STO），其具有由Ta制成的复合种子层和具有fcc（111）或hcp（001）织构的金属层，以增强垂直磁各向异性 （A1 / A2）YFeCo层叠场产生层（FGL）中的（PMA）。 自旋注入层（SIL）可以层叠有（A1 / A2）XFeCo构型。 SIL中的FeCo层与（A1 / A2）X层叠体交换（x为5〜50），以提高坚固性。 FGL中的（A1 / A2）Y层叠体（y = 5〜30）可以与高B层交换耦合，以实现更容易的振荡。 A1可以是Co，CoFe或CoFeR中的一种，其中R是金属，A2是Ni，NiCo或NiFe之一。 STO通常形成在写入头中的主极和后屏蔽之间。