公开(公告)号：US20140014745A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13937815

申请日：2013-07-09

申请人： Brian H. BURROWS ,  Alexander TAM ,  Ronald STEVENS ,  Kenric T. CHOI ,  James David FELSCH ,  Jacob GRAYSON ,  Sumedh ACHARYA ,  Sandeep NIJHAWAN ,  Lori D. WASHINGTON ,  Nyi O. MYO

发明人： Brian H. BURROWS ,  Alexander TAM ,  Ronald STEVENS ,  Kenric T. CHOI ,  James David FELSCH ,  Jacob GRAYSON ,  Sumedh ACHARYA ,  Sandeep NIJHAWAN ,  Lori D. WASHINGTON ,  Nyi O. MYO

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/87153

摘要： A method and apparatus that may be utilized for chemical vapor deposition and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition are provided. In one embodiment, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process is used to deposit a Group III-nitride film on a plurality of substrates. A Group III precursor, such as trimethyl gallium, trimethyl aluminum or trimethyl indium and a nitrogen-containing precursor, such as ammonia, are delivered to a plurality of straight channels which isolate the precursor gases. The precursor gases are injected into mixing channels where the gases are mixed before entering a processing volume containing the substrates. Heat exchanging channels are provided for temperature control of the mixing channels to prevent undesirable condensation and reaction of the precursors.

摘要翻译： 提供了可用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延（HVPE）沉积的方法和装置。 在一个实施例中，使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。 将III族前体，例如三甲基镓，三甲基铝或三甲基铟，以及含氮前体，例如氨，被输送到多个分离前体气体的直通道。 将前体气体注入到混合通道中，在混合通道中气体被混合，然后进入含有底物的处理体积。 提供热交换通道用于混合通道的温度控制，以防止不希望的前体的冷凝和反应。

公开(公告)号：US20090095221A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11873170

申请日：2007-10-16

申请人： Alexander TAM ,  Ronald STEVENS ,  Jacob GRAYSON ,  David BOUR ,  Sandeep NIJHAWAN

发明人： Alexander TAM ,  Ronald STEVENS ,  Jacob GRAYSON ,  David BOUR ,  Sandeep NIJHAWAN

IPC分类号： C23C16/54

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/34

摘要： A method and apparatus that may be utilized for chemical vapor deposition and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition are provided. In one embodiment, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process is used to deposit a Group III-nitride film on a plurality of substrates. A Group III precursor, such as trimethyl gallium, trimethyl aluminum or trimethyl indium and a nitrogen-containing precursor, such as ammonia, are separately delivered to a plurality of concentric gas injection ports. The precursor gases are injected into mixing zones where the gases are mixed before entering a processing volume containing the substrates.

摘要翻译： 提供了可用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延（HVPE）沉积的方法和装置。 在一个实施例中，使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。 三甲基镓，三甲基铝或三甲基铟等的III族前体和氨等的含氮前体分别输送到多个同心气体注入口。 将前体气体注入混合区，在混合区中气体混合，然后再进入含有底物的处理体积。