公开(公告)号：US20130048061A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13216744

申请日：2011-08-24

申请人： CHENG-WEI CHENG ,  Jack O. Chu ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Kuen-Ting Shiu

发明人： CHENG-WEI CHENG ,  Jack O. Chu ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Kuen-Ting Shiu

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/06875 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

摘要： A device and method for fabrication of a multi-junction photovoltaic device includes providing a parent substrate including a single crystal III-V material. The parent substrate forms a III-V cell of the multi-junction photovoltaic device. A lattice-matched Germanium layer is epitaxially grown on the III-V material to form a final cell of the multi-junction photovoltaic device. The Germanium layer is bonded to a foreign substrate.

摘要翻译： 一种用于制造多结光伏器件的器件和方法包括提供包括单晶III-V材料的母基片。 母基板形成多结光伏器件的III-V电池。 晶格匹配的锗层在III-V材料上外延生长以形成多结光伏器件的最终电池。 锗层结合到异质基底上。