公开(公告)号：US09559032B2

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：US14412445

申请日：2013-07-25

Applicant: CSMC Technologies FAB2 CO., Ltd.

Inventor： Zhewei Wang ,  Xuelei Chen ,  Binbin Liu ,  Liuchun Gao ,  Hongxing Zhao ,  Guomin Huang ,  Long Jiang ,  Jibin Jiao

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/02 ,  H01L23/29 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention provides a method of forming a passivation layer of a MOS device, and a MOS device. The method of forming a passivation layer of a MOS device includes: forming a substrate; forming a dielectric on the substrate; patterning the dielectric to expose a part of the substrate; forming a metal on the exposed part of the substrate, and the dielectric; forming a TEOS on the metal; forming a PSG on the TEOS; and forming a silicon nitrogen compound on the PSG. Therefore, the cracks problem of the passivation can be alleviated.

Abstract translation: 本发明提供一种形成MOS器件的钝化层和MOS器件的方法。 形成MOS器件的钝化层的方法包括：形成衬底; 在基板上形成电介质; 图案化所述电介质以暴露所述衬底的一部分; 在基板的暴露部分上形成金属和电介质; 在金属上形成TEOS; 在TEOS上形成PSG; 并在PSG上形成硅氮化合物。 因此，可以缓解钝化的裂纹问题。