公开(公告)号：US20110284074A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12891721

申请日：2010-09-27

申请人： Chee-Wee Liu ,  Wei-Shuo Ho ,  Yen-Yu Chen ,  Chun-Yuan Ku ,  Chien-Jen Chen ,  Han-Tu Lin ,  Shuo-Wei Liang

发明人： Chee-Wee Liu ,  Wei-Shuo Ho ,  Yen-Yu Chen ,  Chun-Yuan Ku ,  Chien-Jen Chen ,  Han-Tu Lin ,  Shuo-Wei Liang

IPC分类号： H01L31/0376

CPC分类号： H01L31/0747 ,  Y02E10/50

摘要： A photovoltaic cell includes a first type doped mono-crystalline silicon substrate, an intrinsic amorphous silicon layer, a second type doped amorphous silicon layer, a first type doped crystalline Ge-containing layer, and a pair of electrodes. The first type doped mono-crystalline silicon substrate has a front surface and a rear surface. The intrinsic amorphous silicon layer is disposed on the front surface. The second type doped amorphous silicon layer is disposed on the intrinsic amorphous silicon layer. The first type doped crystalline Ge-containing layer is disposed on the rear surface. The pair of electrodes are electrically connected to the second type doped amorphous silicon layer and first type doped crystalline Ge-containing layer, respectively.

摘要翻译： 光伏电池包括第一掺杂单晶硅衬底，本征非晶硅层，第二掺杂非晶硅层，第一掺杂晶体Ge含量层和一对电极。 第一种掺杂单晶硅衬底具有前表面和后表面。 本征非晶硅层设置在前表面上。 第二类掺杂非晶硅层设置在本征非晶硅层上。 第一类型的掺杂结晶Ge含量层设置在后表面上。 该对电极分别电连接到第二类掺杂非晶硅层和第一掺杂结晶Ge含量层。

公开(公告)号：US20120097246A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13074015

申请日：2011-03-29

申请人： Chee-Wee Liu ,  Wei-Shuo Ho ,  Yen-Yu Chen ,  Chun-Yuan Ku ,  Zhen-Cheng Wu ,  Shuo-Wei Liang ,  Jen-Chieh Chen ,  Chung-Wei Lai ,  Tsung-Pao Chen

发明人： Chee-Wee Liu ,  Wei-Shuo Ho ,  Yen-Yu Chen ,  Chun-Yuan Ku ,  Zhen-Cheng Wu ,  Shuo-Wei Liang ,  Jen-Chieh Chen ,  Chung-Wei Lai ,  Tsung-Pao Chen

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell includes a crystalline semiconductor substrate; a first crystalline semiconductor layer; an amorphous semiconductor layer; a first metal electrode layer and a second metal electrode layer. The crystalline semiconductor substrate has a first surface and a second surface, and the crystalline semiconductor substrate has a first doped type. The first crystalline semiconductor layer is disposed on the first surface of the crystalline semiconductor substrate, where the first crystalline semiconductor layer has a second doped type contrary to the first doped type. The amorphous semiconductor layer is disposed on the first crystalline semiconductor layer, and the amorphous semiconductor layer has the second doped type. The first metal electrode layer is disposed on the amorphous semiconductor layer. The second metal electrode layer is disposed on the second surface of the crystalline semiconductor substrate.

摘要翻译： 太阳能电池包括晶体半导体衬底; 第一晶体半导体层; 非晶半导体层; 第一金属电极层和第二金属电极层。 晶体半导体衬底具有第一表面和第二表面，并且晶体半导体衬底具有第一掺杂型。 第一晶体半导体层设置在晶体半导体衬底的第一表面上，其中第一晶体半导体层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂型。 非晶半导体层设置在第一结晶半导体层上，非晶半导体层具有第二掺杂型。 第一金属电极层设置在非晶半导体层上。 第二金属电极层设置在晶体半导体衬底的第二表面上。