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    METHOD FOR FABRICATING METAL GATE TRANSISTOR AND POLYSILICON RESISTOR
    3.
    发明申请
    METHOD FOR FABRICATING METAL GATE TRANSISTOR AND POLYSILICON RESISTOR 有权
    制造金属栅极晶体管和多晶硅电阻的方法

    公开(公告)号：US20120214284A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：US13461791

    申请日：2012-05-02

    申请人： Cheng-Wen Fan ,  Kun-Szu Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor-Chiang Liang

    发明人： Cheng-Wen Fan ,  Kun-Szu Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor-Chiang Liang

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： An integrated method includes fabricating a metal gate transistor and a polysilicon resistor structure. A photoresistor layer is defined by an SAB photo mask and covers a part of a high resistance structure of the polysilicon resistor. When the dummy gate of the transistor is etched, the part of the high resistance structure is protected by the patterned photoresistor layer. The polysilicon resistor is formed simultaneously with the transistor. Furthermore, the polysilicon resistor still has sufficient resistance and includes two metal structures for electrical connection.

    摘要翻译： 集成方法包括制造金属栅极晶体管和多晶硅电阻器结构。 光电晶体层由SAB光掩模限定，并覆盖多晶硅电阻器的高电阻结构的一部分。 当蚀刻晶体管的虚拟栅极时，高电阻结构的部分被图案化的光敏电阻层保护。 多晶硅电阻器与晶体管同时形成。 此外，多晶硅电阻器仍然具有足够的电阻并且包括用于电连接的两个金属结构。

    Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor
    5.
    发明授权
    Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor 有权
    金属栅极晶体管和多晶硅电阻的制造方法

    公开(公告)号：US08349682B2

    公开(公告)日：2013-01-08

    申请号：US13461791

    申请日：2012-05-02

    申请人： Cheng-Wen Fan ,  Kun-Szu Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor-Chiang Liang

    发明人： Cheng-Wen Fan ,  Kun-Szu Tseng ,  Che-Hua Hsu ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor-Chiang Liang

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： An integrated method includes fabricating a metal gate transistor and a polysilicon resistor structure. A photoresistor layer is defined by an SAB photo mask and covers a part of a high resistance structure of the polysilicon resistor. When the dummy gate of the transistor is etched, the part of the high resistance structure is protected by the patterned photoresistor layer. The polysilicon resistor is formed simultaneously with the transistor. Furthermore, the polysilicon resistor still has sufficient resistance and includes two metal structures for electrical connection.

    摘要翻译： 集成方法包括制造金属栅极晶体管和多晶硅电阻器结构。 光电晶体层由SAB光掩模限定，并覆盖多晶硅电阻器的高电阻结构的一部分。 当蚀刻晶体管的虚拟栅极时，高电阻结构的部分被图案化的光敏电阻层保护。 多晶硅电阻器与晶体管同时形成。 此外，多晶硅电阻器仍然具有足够的电阻并且包括用于电连接的两个金属结构。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
    半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20110156161A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：US12648873

    申请日：2009-12-29

    申请人： Kun-Szu Tseng ,  Cheng-Wen Fan ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor Chiang Liang

    发明人： Kun-Szu Tseng ,  Cheng-Wen Fan ,  Chih-Yu Tseng ,  Victor Chiang Liang

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L23/5256 ,  H01L28/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device including a substrate, a first device, a second device and an interlayer dielectric layer is provided. The substrate has a first area and a second area. The first device is disposed in the first area of the substrate and includes a first dielectric layer on the substrate and a metal gate on the first dielectric layer. The second device is in the second area of the substrate and includes a second dielectric layer on the substrate and, a polysilicon layer on the second dielectric layer. It is noted that the height of the polysilicon layer is less than that of the metal gate of the first device. The interlayer dielectric layer covers the second device.

    摘要翻译： 提供了包括衬底，第一器件，第二器件和层间介电层的半导体器件。 衬底具有第一区域和第二区域。 第一器件设置在衬底的第一区域中，并且包括在衬底上的第一介电层和第一介电层上的金属栅极。 第二器件位于衬底的第二区域中，并且在衬底上包括第二电介质层，以及在第二介电层上的多晶硅层。 注意，多晶硅层的高度小于第一器件的金属栅极的高度。 层间绝缘层覆盖第二器件。

    METAL GATE TRANSISTOR AND RESISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    9.
    发明申请
    METAL GATE TRANSISTOR AND RESISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
    金属栅极晶体管和电阻器及其制造方法

    公开(公告)号：US20100320544A1

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：US12488592

    申请日：2009-06-22

    申请人： Chih-Yu Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Kun-Szu Tseng ,  Cheng-Wen Fan ,  Victor-Chiang Liang

    发明人： Chih-Yu Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Kun-Szu Tseng ,  Cheng-Wen Fan ,  Victor-Chiang Liang

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/84 ,  H01L28/20

    摘要： A method for fabricating metal gate transistor and resistor is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate having a transistor region and a resistor region; forming a shallow trench isolation in the substrate of the resistor region; forming a tank in the shallow trench isolation of the resistor region; forming at least one gate in the transistor region and a resistor in the tank of the resistor region; and transforming the gate into a metal gate transistor.

    摘要翻译： 公开了一种用于制造金属栅极晶体管和电阻器的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有晶体管区域和电阻器区域的衬底; 在电阻器区域的衬底中形成浅沟槽隔离; 在电阻区域的浅沟槽隔离中形成一个槽; 在所述晶体管区域中形成至少一个栅极和在所述电阻器区域的所述槽中形成电阻器; 并将栅极变换为金属栅极晶体管。