公开(公告)号：US08445311B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13303126

申请日：2011-11-22

申请人： Chi-Hsiung Chang ,  Kuan-Lun Chang ,  Hung-Yi Chang ,  Yi-Min Pan ,  Jun-Min Wu ,  Ying-Yen Chiu

发明人： Chi-Hsiung Chang ,  Kuan-Lun Chang ,  Hung-Yi Chang ,  Yi-Min Pan ,  Jun-Min Wu ,  Ying-Yen Chiu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of fabricating a differential doped solar cell is provided. The method comprises the steps of (a) providing a light doped semiconductor substrate; (b) forming a heavy doped layer having the same type of dopant used in step (a) on a front surface of the semiconductor substrate; and (c) forming an emitter layer having a different type of dopant used in step (a) on a surface of the heavy doped layer to constitute a p-n junction with the heavy doped layer.

摘要翻译： 提供了一种制造差分掺杂太阳能电池的方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供掺杂光的半导体衬底; （b）在半导体衬底的前表面上形成具有与步骤（a）中使用的相同类型掺杂剂的重掺杂层; 和（c）在重掺杂层的表面上形成具有在步骤（a）中使用的不同类型的掺杂剂的发射极层，以与重掺杂层构成p-n结。

公开(公告)号：US20120164779A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13303126

申请日：2011-11-22

申请人： Chi-Hsiung CHANG ,  Kuan-Lun Chang ,  Hung-Yi Chang ,  Yi-Min Pan ,  Jun-Min Wu ,  Ying-Yen Chiu

发明人： Chi-Hsiung CHANG ,  Kuan-Lun Chang ,  Hung-Yi Chang ,  Yi-Min Pan ,  Jun-Min Wu ,  Ying-Yen Chiu

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of fabricating a differential doped solar cell is provided. The method comprises the steps of (a) providing a light doped semiconductor substrate; (b) forming a heavy doped layer having the same type of dopant used in step (a) on a front surface of the semiconductor substrate; and (c) forming an emitter layer having a different type of dopant used in step (a) on a surface of the heavy doped layer to constitute a p-n junction with the heavy doped layer.

摘要翻译： 提供了一种制造差分掺杂太阳能电池的方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供光掺杂半导体衬底; （b）在半导体衬底的前表面上形成具有与步骤（a）中使用的相同类型掺杂剂的重掺杂层; 和（c）在重掺杂层的表面上形成具有在步骤（a）中使用的不同类型的掺杂剂的发射极层，以与重掺杂层构成p-n结。