公开(公告)号：US5886410A

公开(公告)日：1999-03-23

申请号：US670624

申请日：1996-06-26

申请人： Chien Chiang ,  Chuanbin Pan ,  Vicky M. Ochoa ,  Sychyi Fang ,  David B. Fraser ,  Joyce C. Sum ,  Gary William Ray ,  Jeremy A. Theil

发明人： Chien Chiang ,  Chuanbin Pan ,  Vicky M. Ochoa ,  Sychyi Fang ,  David B. Fraser ,  Joyce C. Sum ,  Gary William Ray ,  Jeremy A. Theil

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002

摘要： An interconnect system is provided. The interconnect system includes a silicon substrate and a first dielectric layer formed upon the silicon substrate. The interconnect system also includes a first level of at least two electrically conductive lines formed upon the first dielectric layer. The interconnect system further includes a region of low dielectric constant material formed between the at least two electrically conductive lines. The interconnect system also includes a first hard mask formed upon the polymer region.

摘要翻译： 提供互连系统。 互连系统包括硅衬底和形成在硅衬底上的第一介电层。 互连系统还包括形成在第一介电层上的至少两个导电线的第一级。 所述互连系统还包括形成在所述至少两个导电线之间的低介电常数材料区域。 互连系统还包括形成在聚合物区域上的第一硬掩模。

公开(公告)号：US6027995A

公开(公告)日：2000-02-22

申请号：US135618

申请日：1998-08-18

申请人： Chien Chiang ,  Chuanbin Pan ,  Vicky M. Ochoa ,  Sychyi Fang ,  David B. Fraser ,  Joyce C. Sum ,  Gary William Ray ,  Jeremy A. Theil

发明人： Chien Chiang ,  Chuanbin Pan ,  Vicky M. Ochoa ,  Sychyi Fang ,  David B. Fraser ,  Joyce C. Sum ,  Gary William Ray ,  Jeremy A. Theil

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002

摘要： An interconnect system is provided. The interconnect system includes a silicon substrate and a first dielectric layer formed upon the silicon substrate. The interconnect system also includes a first level of at least two electrically conductive lines formed upon the first dielectric layer. The interconnect system further includes a region of low dielectric constant material formed between the at least two electrically conductive lines. The interconnect system also includes a first hard mask formed upon the polymer region.

摘要翻译： 提供互连系统。 互连系统包括硅衬底和形成在硅衬底上的第一介电层。 互连系统还包括形成在第一介电层上的至少两个导电线的第一级。 所述互连系统还包括形成在所述至少两个导电线之间的低介电常数材料区域。 互连系统还包括形成在聚合物区域上的第一硬掩模。