公开(公告)号：US08239733B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12626800

申请日：2009-11-27

申请人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

发明人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F21/78 ,  G06F21/79 ,  G06F2221/2141 ,  H03M13/03 ,  H04L9/0637 ,  H04L9/0662 ,  H04L2209/34

摘要： The present invention is directed to a memory device with protection capability and a method of accessing data therein. A spreader encrypts input user data according to an entered password, and the encrypted data is then stored in a storage area. A despreader performs reverse process of the spreader on the stored data according to the entered password.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有保护能力的存储设备及其中访问数据的方法。 扩展器根据输入的密码加密输入用户数据，然后将加密的数据存储在存储区域中。 解扩器根据输入的密码对扩展器对存储的数据进行反向处理。

公开(公告)号：US08429497B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12548348

申请日：2009-08-26

申请人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

发明人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/13

摘要： A method of dynamic data storage for error correction in a memory device is disclosed. Data for storage is received, and the received data is then encoded and associated error correction code (ECC) is generated. The encoded data is stored in a portion of a data partition of the memory device, wherein percentage of the stored data in the data partition is determined according to an amount of corrected errors associated with the data partition or is predetermined.

摘要翻译： 公开了一种用于存储器件中的纠错的动态数据存储的方法。 接收用于存储的数据，然后对接收到的数据进行编码，并生成相关联的纠错码（ECC）。 编码数据被存储在存储器件的数据分区的一部分中，其中存储的数据在数据分区中的百分比是根据与数据分区相关联的校正误差的量来确定的或者是预定的。

公开(公告)号：US20110131459A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12626800

申请日：2009-11-27

申请人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

发明人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

IPC分类号： G06F12/14 ,  H03M13/03 ,  G06F11/07 ,  H04L9/20

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F21/78 ,  G06F21/79 ,  G06F2221/2141 ,  H03M13/03 ,  H04L9/0637 ,  H04L9/0662 ,  H04L2209/34

摘要： The present invention is directed to a memory device with protection capability and a method of accessing data therein. A spreader encrypts input user data according to an entered password, and the encrypted data is then stored in a storage area. A despreader performs reverse process of the spreader on the stored data according to the entered password.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有保护能力的存储设备及其中访问数据的方法。 扩展器根据输入的密码加密输入用户数据，然后将加密的数据存储在存储区域中。 解扩器根据输入的密码对扩展器对存储的数据进行反向处理。

公开(公告)号：US20110055659A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12548348

申请日：2009-08-26

申请人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

发明人： Chih-Cheng Tu ,  Yan-Wun Huang ,  Han-Lung Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Chien-Fu Huang ,  Chih-Hwa Chang

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/13

摘要： A method of dynamic data storage for error correction in a memory device is disclosed. Data for storage is received, and the received data is then encoded and associated error correction code (ECC) is generated. The encoded data is stored in a portion of a data partition of the memory device, wherein percentage of the stored data in the data partition is determined according to an amount of corrected errors associated with the data partition or is predetermined.

摘要翻译： 公开了一种用于存储器件中的纠错的动态数据存储的方法。 接收用于存储的数据，然后对接收到的数据进行编码，并生成相关联的纠错码（ECC）。 编码数据被存储在存储器件的数据分区的一部分中，其中数据分区中存储的数据的百分比是根据与数据分区相关联的校正误差的量来确定的或者是预定的。

公开(公告)号：US08074013B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12563915

申请日：2009-09-21

申请人： Han-Lung Huang ,  Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Shih-Keng Cho

发明人： Han-Lung Huang ,  Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5647

摘要： A uniform coding system for a flash memory is disclosed. A statistic decision unit determines a coding word according to a plurality of inputs. An inverse unit controllably inverts input data to be encoded. The input data are then encoded into encoded data according to a statistic determined by the statistic decision unit.

摘要翻译： 公开了一种用于闪速存储器的均匀编码系统。 统计判定单元根据多个输入确定编码字。 逆单元可控地反转要编码的输入数据。 然后根据由统计判定单元确定的统计量将输入数据编码为编码数据。

公开(公告)号：US20100290282A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12464240

申请日：2009-05-12

申请人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

发明人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： A method and system for adaptively finding reference voltages for reading data from a multi-level cell (MLC) flash memory is disclosed. According to one embodiment, information about an initial threshold voltage distribution is firstly provided. A first threshold voltage in the initial threshold voltage distribution is then associated with a second threshold voltage in a shifted threshold voltage distribution to be determined, such that the information corresponding to the first threshold voltage is approximate to the information corresponding to the second threshold voltage. Accordingly, initial reference voltage or voltages of the initial threshold voltage distribution are shifted with an amount approximate to difference between the first threshold voltage and the second threshold voltage, thereby resulting in new reference voltage or voltages for reading the data from the MLC flash memory.

摘要翻译： 公开了一种用于自适应地寻找用于从多电平单元（MLC）闪速存储器读取数据的参考电压的方法和系统。 根据一个实施例，首先提供关于初始阈值电压分布的信息。 初始阈值电压分布中的第一阈值电压然后与移位的阈值电压分布中的第二阈值电压相关联，以使得与第一阈值电压对应的信息接近于与第二阈值电压对应的信息。 因此，初始阈值电压分布的初始参考电压或电压以接近于第一阈值电压和第二阈值电压之间的差值的量移动，由此导致用于从MLC闪速存储器读取数据的新参考电压或电压。

公开(公告)号：US08355285B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12915573

申请日：2010-10-29

申请人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

发明人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： A method and system for adaptively finding reference voltages for reading data from a multi-level cell (MLC) flash memory is disclosed. According to one embodiment, a first total number of cells of the flash memory above a first threshold voltage in a shifted threshold voltage distribution is provided. Search to find a second threshold voltage such that a second total number of the cells above the second threshold voltage is approximate to the first total number. An initial reference voltage or voltages of the initial threshold voltage distribution are shifted with an amount approximate to a voltage difference between the second threshold voltage and the first threshold voltage, thereby resulting in a new reference voltage or voltages for reading the data from the MLC flash memory.

摘要翻译： 公开了一种用于自适应地寻找用于从多电平单元（MLC）闪速存储器读取数据的参考电压的方法和系统。 根据一个实施例，提供闪烁存储器中的移位阈值电压分布中高于第一阈值电压的第一总数的单元。 搜索以找到第二阈值电压，使得高于第二阈值电压的第二个单元的总数接近于第一总数。 初始参考电压或初始阈值电压分布的电压以接近于第二阈值电压和第一阈值电压之间的电压差的量移动，由此导致用于从MLC闪存读取数据的新参考电压或电压 记忆。

公开(公告)号：US07848152B1

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US12464240

申请日：2009-05-12

申请人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

发明人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： A method and system for adaptively finding reference voltages for reading data from a multi-level cell (MLC) flash memory is disclosed. According to one embodiment, information about an initial threshold voltage distribution is firstly provided. A first threshold voltage in the initial threshold voltage distribution is then associated with a second threshold voltage in a shifted threshold voltage distribution to be determined, such that the information corresponding to the first threshold voltage is approximate to the information corresponding to the second threshold voltage. Accordingly, initial reference voltage or voltages of the initial threshold voltage distribution are shifted with an amount approximate to difference between the first threshold voltage and the second threshold voltage, thereby resulting in new reference voltage or voltages for reading the data from the MLC flash memory.

摘要翻译： 公开了一种用于自适应地寻找用于从多电平单元（MLC）闪速存储器读取数据的参考电压的方法和系统。 根据一个实施例，首先提供关于初始阈值电压分布的信息。 初始阈值电压分布中的第一阈值电压然后与移位的阈值电压分布中的第二阈值电压相关联，以使得与第一阈值电压对应的信息接近于与第二阈值电压对应的信息。 因此，初始阈值电压分布的初始参考电压或电压以接近于第一阈值电压和第二阈值电压之间的差值的量移动，由此导致用于从MLC闪速存储器读取数据的新参考电压或电压。

公开(公告)号：US20110072191A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12563915

申请日：2009-09-21

申请人： Han-Lung Huang ,  Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Shih-Keng Cho

发明人： Han-Lung Huang ,  Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5647

摘要： A uniform coding system for a flash memory is disclosed. A statistic decision unit determines a coding word according to a plurality of inputs. An inverse unit controllably inverts input data to be encoded. The input data are then encoded into encoded data according to a statistic determined by the statistic decision unit.

摘要翻译： 公开了一种用于闪速存储器的均匀编码系统。 统计判定单元根据多个输入确定编码字。 逆单元可控地反转要编码的输入数据。 然后根据由统计判定单元确定的统计量将输入数据编码为编码数据。

公开(公告)号：US20110038209A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12915573

申请日：2010-10-29

申请人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

发明人： Chien-Fu Huang ,  Ming-Hung Chou ,  Han-Lung Huang ,  Shih-Keng Cho

IPC分类号： G11C16/28

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

摘要： A method and system for adaptively finding reference voltages for reading data from a multi-level cell (MLC) flash memory is disclosed. According to one embodiment, a first total number of cells of the flash memory above a first threshold voltage in a shifted threshold voltage distribution is provided. Search to find a second threshold voltage such that a second total number of the cells above the second threshold voltage is approximate to the first total number. An initial reference voltage or voltages of the initial threshold voltage distribution are shifted with an amount approximate to a voltage difference between the second threshold voltage and the first threshold voltage, thereby resulting in a new reference voltage or voltages for reading the data from the MLC flash memory.

摘要翻译： 公开了一种用于自适应地寻找用于从多电平单元（MLC）闪速存储器读取数据的参考电压的方法和系统。 根据一个实施例，提供闪烁存储器中的移位阈值电压分布中高于第一阈值电压的第一总数的单元。 搜索以找到第二阈值电压，使得高于第二阈值电压的第二个单元的总数接近于第一总数。 初始参考电压或初始阈值电压分布的电压以接近于第二阈值电压和第一阈值电压之间的电压差的量移动，由此导致用于从MLC闪存读取数据的新参考电压或电压 记忆。