公开(公告)号：US20050085035A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10687648

申请日：2003-10-20

申请人： Chih-Chiang Shen ,  Chang-Jung Chu ,  Rui-Huang Cheng ,  Yong-Yin Chen ,  Norio Hayafuji ,  Chin-Kun Peng

发明人： Chih-Chiang Shen ,  Chang-Jung Chu ,  Rui-Huang Cheng ,  Yong-Yin Chen ,  Norio Hayafuji ,  Chin-Kun Peng

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for improving a performance of a heterojunction bipolar transistor is provided. The method includes steps of providing a substrate; forming a first at least one semiconductor layer on the substrate; forming a second at least one semiconductor layer on the first at least one semiconductor layer; and inserting a thermal treatment process within the second at least one semiconductor layer so as to improve a performance of the heterojuntion bipolar transistor. Furthermore, the thermal treatment process is performed at a temperature ranged from 300° C. to 800° C.

摘要翻译： 提供了一种用于改善异质结双极晶体管的性能的方法。 该方法包括提供衬底的步骤; 在所述衬底上形成第一至少一个半导体层; 在所述第一至少一个半导体层上形成第二至少一个半导体层; 以及在所述第二至少一个半导体层内插入热处理工艺，以便提高所述异质双极晶体管的性能。 此外，热处理过程在300℃至800℃的温度下进行。