公开(公告)号：US07594810B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11260427

申请日：2005-10-28

申请人： Chih-Ching Tzeng ,  Den-Lian Lin ,  Shiaw-Huei Chen ,  Ming-Song Yang ,  Jyh-Ming Yan ,  Yuh-Jenq Yu

发明人： Chih-Ching Tzeng ,  Den-Lian Lin ,  Shiaw-Huei Chen ,  Ming-Song Yang ,  Jyh-Ming Yan ,  Yuh-Jenq Yu

IPC分类号： F23L7/00 ,  F23D14/00

CPC分类号： F01N3/00 ,  Y02T10/20

摘要： The present invention provides a reactor utilizing high-voltage discharge for processing exhausted hydrogen gas emitted during membrane plating, etching, or washing of semiconductors, where higher than 95% of destruction and removal efficiency (DRE) of hydrogen gas is obtained.

摘要翻译： 本发明提供了一种利用高压放电来处理半导体膜电镀，蚀刻或清洗过程中排放的氢气的反应器，其中获得高于氢气的破坏和去除效率（DRE）的95％。

公开(公告)号：US20070111147A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11260427

申请日：2005-10-28

申请人： Chih-Ching Tzeng ,  Den-Lian Lin ,  Shiaw-Huei Chen ,  Ming-Song Yang ,  Jyh-Ming Yan ,  Yuh-Jeng Yu

发明人： Chih-Ching Tzeng ,  Den-Lian Lin ,  Shiaw-Huei Chen ,  Ming-Song Yang ,  Jyh-Ming Yan ,  Yuh-Jeng Yu

IPC分类号： F01N3/00

CPC分类号： F01N3/00 ,  Y02T10/20

摘要： The present invention provides a reactor utilizing high-voltage discharge for processing exhausted hydrogen gas emitted during membrane plating, etching, or washing of semiconductors, where higher than 95% of destruction and removal efficiency (DRE) of hydrogen gas is obtained.

摘要翻译： 本发明提供了一种利用高压放电来处理半导体膜电镀，蚀刻或清洗过程中排放的氢气的反应器，其中获得高于氢气的破坏和去除效率（DRE）的95％。