公开(公告)号：US20050056399A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10892041

申请日：2004-07-15

申请人： Chin-Long Ku ,  Po-Han Chan

发明人： Chin-Long Ku ,  Po-Han Chan

IPC分类号： H01L23/467 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/467 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiator includes a heat sink (10), a fan holder (50) and a fan (30). The heat sink includes a heat-absorbing member (12, 18) that defines a cavity (20) in an end thereof. The fan holder includes a central hub (52) secured into the cavity of the heat sink. The fan is positioned to the heat sink via the fan holder.

摘要翻译： 散热器包括散热器（10），风扇支架（50）和风扇（30）。 散热器包括在其末端限定空腔（20）的吸热构件（12,18）。 风扇架包括固定在散热器的空腔中的中心毂（52）。 风扇通过风扇架定位在散热器上。

公开(公告)号：US07117932B2

公开(公告)日：2006-10-10

申请号：US10892041

申请日：2004-07-15

申请人： Chin-Long Ku ,  Po-Han Chan

发明人： Chin-Long Ku ,  Po-Han Chan

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： H01L23/467 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiator includes a heat sink (10), a fan holder (50) and a fan (30). The heat sink includes a heat-absorbing member (12, 18) that defines a cavity (20) in an end thereof. The fan holder includes a central hub (52) secured into the cavity of the heat sink. The fan is positioned to the heat sink via the fan holder.

摘要翻译： 散热器包括散热器（10），风扇支架（50）和风扇（30）。 散热器包括在其末端限定空腔（20）的吸热构件（12,18）。 风扇架包括固定在散热器的空腔中的中心毂（52）。 风扇通过风扇架定位在散热器上。

公开(公告)号：US20080138965A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11649892

申请日：2007-01-05

申请人： Cheng-yi Liu ,  Po-Han Chan ,  Ching-Liang Lin

发明人： Cheng-yi Liu ,  Po-Han Chan ,  Ching-Liang Lin

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： An amorphous Si (silicon)/Au (gold) eutectic wafer bonding structure is fabricated. An amorphous Si obtained through coating or growth contacts with Au for bonding. The bonding layer is a Si/Au eutectic layer. Si is prevented from being precipitated. The bonding structure has a fast reaction ratio and a uniformed reaction. Thus, an electrical device has an improved electricity and reliability.

摘要翻译： 制造非晶Si（硅）/ Au（金）共晶晶片接合结构。 通过涂覆或生长获得的非晶硅与Au接触以进行接合。 结合层是Si / Au共晶层。 防止了Si沉淀。 键合结构具有快速的反应比和均匀的反应。 因此，电气设备具有改善的电力和可靠性。

公开(公告)号：US07507636B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11649892

申请日：2007-01-05

申请人： Cheng-yi Liu ,  Po-Han Chan ,  Ching-Liang Lin

发明人： Cheng-yi Liu ,  Po-Han Chan ,  Ching-Liang Lin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： An amorphous Si (silicon)/Au (gold) eutectic wafer bonding structure is fabricated. An amorphous Si obtained through coating or growth contacts with Au for bonding. The bonding layer is a Si/Au eutectic layer. Si is prevented from being precipitated. The bonding structure has a fast reaction ratio and a uniformed reaction. Thus, an electrical device has an improved electricity and reliability.

摘要翻译： 制造非晶Si（硅）/ Au（金）共晶晶片接合结构。 通过涂覆或生长获得的非晶硅与Au接触以进行接合。 结合层是Si / Au共晶层。 防止了Si沉淀。 键合结构具有快速的反应比和均匀的反应。 因此，电气设备具有改善的电力和可靠性。

公开(公告)号：US20080113463A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11645165

申请日：2006-12-26

申请人： Cheng-yi Liu ,  Ching-Liang Lin ,  Po-Han Chan

发明人： Cheng-yi Liu ,  Ching-Liang Lin ,  Po-Han Chan

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/22

摘要： A laser is used in fabricating a thin film gallium nitride (GaN) light emitting diode (LED). The laser has a wave length to be absorbed by GaN. The laser is used to define a GaN grain. And the laser is used to lift off a substrate after obtaining a bonding layer of GaN. Fabrication procedure is thus simplified.

摘要翻译： 激光用于制造薄膜氮化镓（GaN）发光二极管（LED）。 激光器具有被GaN吸收的波长。 激光用于限定GaN晶粒。 并且激光器在获得GaN的结合层之后用于剥离衬底。 因此，制造过程被简化。