公开(公告)号：US20070202702A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11364482

申请日：2006-02-28

申请人： Chun Fu Chen ,  Yung Hung ,  Yun Yang

发明人： Chun Fu Chen ,  Yung Hung ,  Yun Yang

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02065

摘要： A chemical mechanical polishing method is disclosed. The method includes forming a film on a wafer having at least one trench structure thereon; polishing the surface of the film by providing a polishing composition to provide a first polished surface; rinsing the first polished surface with a rinse composition to provide a rinsed surface; and polishing the rinsed surface by providing a second polishing composition to provide a second polished surface.

摘要翻译： 公开了一种化学机械抛光方法。 该方法包括在其上具有至少一个沟槽结构的晶片上形成膜; 通过提供抛光组合物来抛光膜的表面以提供第一抛光表面; 用漂洗组合物漂洗第一抛光表面以提供漂洗表面; 并通过提供第二抛光组合物来抛光冲洗的表面以提供第二抛光表面。

公开(公告)号：US20070178662A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11342784

申请日：2006-01-30

申请人： Chun Chen ,  Yung Hung ,  Chi Huang ,  Chen Liao

发明人： Chun Chen ,  Yung Hung ,  Chi Huang ,  Chen Liao

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A method for forming shallow trench isolation structures is disclosed. The methods include providing a substrate having an upper surface and having an opening extending down from said upper surface, providing a first dielectric layer over at least a portion of the upper surface of the substrate and filling the opening, providing a second dielectric layer over the first dielectric layer, and removing portions of the first and second dielectric layers, wherein the first dielectric layer has a higher index of refraction than the second dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种用于形成浅沟槽隔离结构的方法。 所述方法包括提供具有上表面并且具有从所述上表面向下延伸的开口的基板，在所述基板的上表面的至少一部分上方提供第一介电层，并填充所述开口， 第一电介质层和去除第一和第二介电层的部分，其中第一介电层具有比第二介电层更高的折射率。