公开(公告)号：US20130137197A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13307319

申请日：2011-11-30

申请人： DAPING YAO ,  PETER I. PORSHNEV ,  MARTIN A. HILKENE ,  MATTHEW D. SCOTNEY-CASTLE ,  MANOJ VELLAIKAL

发明人： DAPING YAO ,  PETER I. PORSHNEV ,  MARTIN A. HILKENE ,  MATTHEW D. SCOTNEY-CASTLE ,  MANOJ VELLAIKAL

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/3115

摘要： Methods for quantitatively measuring the performance of a plasma immersion process are provided herein. In some embodiments, a method of quantitatively measuring the performance of a plasma immersion process, using a first substrate comprising an oxide layer deposited atop a silicon layer, may include subjecting the first substrate to a plasma immersion process in a first plasma immersion chamber to form a doped oxide layer atop the first substrate; and determining a thickness of the doped oxide layer by shining a beam of light upon a reflective surface of the doped oxide layer; detecting reflected beams of light off of the reflective surface of the doped oxide layer; and analyzing the reflected beams of light to determine the thickness of the doped oxide layer on the first substrate.

摘要翻译： 本文提供了定量测量等离子浸渍工艺性能的方法。 在一些实施例中，使用包括沉积在硅层上方的氧化物层的第一衬底定量测量等离子体浸渍工艺的性能的方法可包括使第一衬底经受第一等离子体浸没室中的等离子体浸入工艺以形成 在第一衬底顶上的掺杂氧化物层; 以及通过在所述掺杂氧化物层的反射表面上照射光束来确定所述掺杂氧化物层的厚度; 检测来自掺杂氧化物层的反射表面的反射光束; 以及分析反射光束以确定第一衬底上的掺杂氧化物层的厚度。

公开(公告)号：US20120309114A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13150843

申请日：2011-06-01

申请人： DAPING YAO ,  PETER I. PORSHNEV

发明人： DAPING YAO ,  PETER I. PORSHNEV

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31155 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L2221/1063

摘要： Methods for repairing low-k dielectrics using a plasma immersion carbon doping process are provided herein. In some embodiments, a method of repairing a low-k dielectric material disposed on a substrate having one or more features disposed through the low-k dielectric material may include depositing a conformal oxide layer on the low-k dielectric material and within the one or more features; and doping the conformal oxide layer with carbon using a plasma doping process.

摘要翻译： 本文提供了使用等离子体浸渍碳掺杂工艺修复低k电介质的方法。 在一些实施例中，修复设置在具有通过低k电介质材料布置的一个或多个特征的衬底上的低k电介质材料的方法可以包括在低k电介质材料上以及在一个或多个 更多功能; 并使用等离子体掺杂工艺用碳掺杂保形氧化物层。