公开(公告)号：US20150261467A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14645687

申请日：2015-03-12

申请人： DONG-YOUNG SEO ,  DUKYOUNG YUN

发明人： DONG-YOUNG SEO ,  DUKYOUNG YUN

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C29/52 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/00 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/28 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A system comprises a nonvolatile memory device comprising a memory cell array comprising a plurality of memory blocks each comprising a plurality of cell strings, each of cell strings comprises the plurality of memory cells stacked in a direction perpendicular to a substrate, a ground selection transistor disposed between the memory cells and the substrate, and a string selection transistor disposed between the memory cells and a bitline, and configured to read stored data from the memory cells using a plurality of read voltages; and a memory controller configured to read the memory cells using a reference voltage to generate on-cell data, and adjust the read voltages of the nonvolatile memory device based on the generated on-cell data.

摘要翻译： 一种系统包括非易失性存储器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个单元串，每个单元串包括沿垂直于衬底的方向堆叠的多个存储单元， 存储单元和基板之间的串联选择晶体管，以及设置在存储单元和位线之间的串选择晶体管，并且被配置为使用多个读取电压从存储单元读取存储的数据; 以及存储器控制器，被配置为使用参考电压来读取存储器单元以产生单电池数据，并且基于所生成的单元数据来调整非易失性存储器件的读取电压。