公开(公告)号：US20070196742A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11538782

申请日：2006-10-04

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Yong Liu ,  Paul Rissman

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Yong Liu ,  Paul Rissman

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00 ,  G06F17/50 ,  G03C1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method for determining a mask pattern to be used on a photo-mask in a photolithographic process is described. During the method, a target pattern that includes at least one continuous feature is provided. Then a mask pattern that includes a plurality of distinct types of regions corresponding to the distinct types of regions of the photo-mask is determined. Note that the mask pattern includes at least two separate features corresponding to at least the one continuous feature. Furthermore, at least the two separate features are separated by a spacing having a length and the spacing overlaps at least a portion of at least the one continuous feature.

摘要翻译： 描述了在光刻工艺中用于确定在光掩模上使用的掩模图案的方法。 在该方法期间，提供了包括至少一个连续特征的目标图案。 然后确定包括对应于光掩模的不同类型的区域的多个不同类型的区域的掩模图案。 注意，掩模图案包括至少两个对应于至少一个连续特征的独立特征。 此外，至少两个分离的特征被具有长度的间隔分开，并且该间隔至少与一个连续特征的至少一部分重叠。

公开(公告)号：US20060172204A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11335018

申请日：2006-01-18

申请人： Danping Peng ,  Yong Liu ,  Daniel Abrams

发明人： Danping Peng ,  Yong Liu ,  Daniel Abrams

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Contact hole patterns are disclosed having a plurality of peripheral regions formed around a target area in which a contact hole is to be formed. The peripheral regions visually resemble “lobes” or “leaves” extending outwards towards the periphery of the target area. The lobes may be disjoint or connected to each other. Present methods can be used to prepare masks for printing contact holes on wafers, as well as to prepare design patterns for laser-writers or direct-write lithography in order to print contact holes on masks or directly on wafers. The methods apply to both binary and phase-shift mask designs with varying illuminations.

摘要翻译： 公开了具有形成在要形成接触孔的目标区域周围的多个周边区域的接触孔图案。 外围区域视觉上类似于向外朝向目标区域的周边延伸的“叶”或“叶”。 裂片可能不相交或相互连接。 现有方法可用于制备用于在晶片上印刷接触孔的掩模，以及准备用于激光写入器或直写光刻的设计图案，以便在掩模上或直接在晶片上印刷接触孔。 该方法适用于具有不同照明度的二进制和相移掩模设计。

公开(公告)号：US07571423B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11225378

申请日：2005-09-12

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/36 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由级别集函数定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。

公开(公告)号：US07441227B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11549846

申请日：2006-10-16

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由级别集函数定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。

公开(公告)号：US20070198966A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11549846

申请日：2006-10-16

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

公开(公告)号：US20070136716A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11674130

申请日：2007-02-12

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由级别集函数定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。

公开(公告)号：US07124394B1

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10408928

申请日：2003-04-06

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由级别集函数定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。

公开(公告)号：US20100275176A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12794614

申请日：2010-06-04

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

公开(公告)号：US20070184357A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11531673

申请日：2006-09-13

申请人： Daniel Abrams ,  Stanley Osher ,  Danping Peng

发明人： Daniel Abrams ,  Stanley Osher ,  Danping Peng

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by mask functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由掩模功能定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。

公开(公告)号：US20070011645A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11209268

申请日：2005-08-22

申请人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

发明人： Daniel Abrams ,  Danping Peng ,  Stanley Osher

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Photomask patterns are represented using contours defined by level-set functions. Given target pattern, contours are optimized such that defined photomask, when used in photolithographic process, prints wafer pattern faithful to target pattern. Optimization utilizes “merit function” for encoding aspects of photolithographic process, preferences relating to resulting pattern (e.g. restriction to rectilinear patterns), robustness against process variations, as well as restrictions imposed relating to practical and economic manufacturability of photomasks.

摘要翻译： 光掩模图案使用由级别集函数定义的轮廓来表示。 给定目标图案，轮廓被优化，使得定义的光掩模在光刻工艺中使用时，将晶片图案忠实地印刷到目标图案上。 优化利用“优点功能”来编码光刻工艺的方面，与所产生的图案有关的偏好（例如对直线图案的限制），对工艺变化的鲁棒性以及与光掩模的实际和经济可制造性有关的限制。