公开(公告)号：US20080038923A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11851123

申请日：2007-09-06

申请人： Daniel EDELSTEIN ,  Matthew COLBURN ,  Edward COONEY ,  Timothy DALTON ,  John FITZSIMMONS ,  Jeffrey GAMBINO ,  Elbert HUANG ,  Michael LANE ,  Vincent MCGAHAY ,  Lee NICHOLSON ,  Satyanarayana NITTA ,  Sampath PURUSHOTHAMAN ,  Sujatha SANKARAN ,  Thomas SHAW ,  Andrew SIMON ,  Anthony STAMPER

发明人： Daniel EDELSTEIN ,  Matthew COLBURN ,  Edward COONEY ,  Timothy DALTON ,  John FITZSIMMONS ,  Jeffrey GAMBINO ,  Elbert HUANG ,  Michael LANE ,  Vincent MCGAHAY ,  Lee NICHOLSON ,  Satyanarayana NITTA ,  Sampath PURUSHOTHAMAN ,  Sujatha SANKARAN ,  Thomas SHAW ,  Andrew SIMON ,  Anthony STAMPER

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： B82Y30/00 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/947 ,  H01L2924/00

摘要： Method of manufacturing a structure which includes the steps of providing a structure having an insulator layer with at least one interconnect, forming a sub lithographic template mask over the insulator layer, and selectively etching the insulator layer through the sub lithographic template mask to form sub lithographic features spanning to a sidewall of the at least one interconnect.

摘要翻译： 一种制造结构的方法，包括以下步骤：提供具有至少一个互连的绝缘体层的结构，在绝缘体层上形成次级光刻模板掩模，以及通过次级光刻模板掩模选择性地蚀刻绝缘体层以形成次光刻 特征跨越至少一个互连的侧壁。

公开(公告)号：US20080038915A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11849048

申请日：2007-08-31

申请人： Daniel EDELSTEIN ,  Matthew COLBURN ,  Edward COONEY ,  Timothy DALTON ,  John FITZSIMMONS ,  Jeffrey GAMBINO ,  Elbert HUANG ,  Michael LANE ,  Vincent MCGAHAY ,  Lee NICHOLSON ,  Satyanarayana NITTA ,  Sampath PURUSHOTHAMAN ,  Sujatha SANKARAN ,  Thomas SHAW ,  Andrew SIMON ,  Anthony STAMPER

发明人： Daniel EDELSTEIN ,  Matthew COLBURN ,  Edward COONEY ,  Timothy DALTON ,  John FITZSIMMONS ,  Jeffrey GAMBINO ,  Elbert HUANG ,  Michael LANE ,  Vincent MCGAHAY ,  Lee NICHOLSON ,  Satyanarayana NITTA ,  Sampath PURUSHOTHAMAN ,  Sujatha SANKARAN ,  Thomas SHAW ,  Andrew SIMON ,  Anthony STAMPER

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： B82Y30/00 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/947 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor structure includes an insulator layer having at least one interconnect feature and at least one gap formed in the insulator layer spanning more than a minimum spacing of interconnects.

摘要翻译： 半导体结构包括具有至少一个互连特征的绝缘体层和形成在绝缘体层中的至少一个间隙，跨越多于互连的最小间隔。