公开(公告)号：US20050110969A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10707198

申请日：2003-11-26

申请人： Daniel Mellinger ,  Timothy Milmore ,  Matthew Nicholls

发明人： Daniel Mellinger ,  Timothy Milmore ,  Matthew Nicholls

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G03F7/70633

摘要： The present invention provides photolithographic device and method for optimizing the photolithography process window. The photolithography device comprises a substrate; and a pattern layer having radiant energy transparent portions and radiant energy blocking portions, where the pattern layer has features with a varying overlay. The overlay tolerance is determined by varying the misalignment the features of the pattern. The photolithography device is a reticle. The method for determining an optimum photolithography process window comprises exposing a portion of a wafer to a pattern produced by a reticle, the pattern having a varying overlay that produces multiple photolithography conditions, wherein each photolithography condition has an overlay tolerance; and stepping the reticle across a remaining portion of the wafer, where each step exposes an other region of the wafer to the pattern producing multiple photolithography conditions. This process enables the user to determine the lithographic process window for critical dimension and overlay on a single chip using electrical test structures.

摘要翻译： 本发明提供了用于优化光刻工艺窗口的光刻设备和方法。 光刻装置包括基板; 以及具有辐射能透明部分和辐射能阻挡部分的图案层，其中图案层具有变化的覆盖层的特征。 覆盖公差通过改变图案的特征的不对准来确定。 光刻装置是光罩。 用于确定最佳光刻处理窗口的方法包括将晶片的一部分暴露于由掩模版产生的图案，该图案具有产生多个光刻条件的变化的覆盖层，其中每个光刻条件具有覆盖公差; 并且跨越晶片的剩余部分使掩模版步进，其中每个步骤将晶片的其它区域暴露于产生多个光刻条件的图案。 该过程使用户能够使用电气测试结构来确定关键尺寸的光刻工艺窗口并覆盖在单个芯片上。

公开(公告)号：US20050181288A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11028888

申请日：2005-01-04

申请人： Daniel Mellinger ,  Timothy Milmore ,  Matthew Nicholls

发明人： Daniel Mellinger ,  Timothy Milmore ,  Matthew Nicholls

IPC分类号： G03F7/20 ,  G01R31/26 ,  G01B11/00 ,  G03C5/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G03F7/70633

摘要： The present invention provides photolithographic device and method for photolithography process window. The photolithography device comprises a substrate; and a pattern layer having radiant energy transparent portions and radiant energy blocking portions, where the pattern layer has features with a varying overlay. The overlay tolerance is determined by varying the misalignment the features of the pattern. The photolithography device is a reticle. The method for determining an optimum photolithography process window comprises exposing a portion of a wafer to a pattern produced by a reticle, the pattern having a varying overlay that produces multiple photolithography conditions, wherein each photolithography condition has an overlay tolerance; and stepping the reticle across a remaining portion of the wafer, where each step exposes an other region of the wafer to the pattern producing multiple photolithography conditions. This process enables the user to determine the lithographic process window for critical dimension and overlay on a single chip using electrical test structures.

摘要翻译： 本发明提供了光刻工艺窗口的光刻设备和方法。 光刻装置包括基板; 以及具有辐射能透明部分和辐射能阻挡部分的图案层，其中图案层具有变化的覆盖层的特征。 覆盖公差通过改变图案的特征的不对准来确定。 光刻装置是光罩。 用于确定最佳光刻处理窗口的方法包括将晶片的一部分暴露于由掩模版产生的图案，该图案具有产生多个光刻条件的变化的覆盖层，其中每个光刻条件具有覆盖公差; 并且跨越晶片的剩余部分使掩模版步进，其中每个步骤将晶片的其它区域暴露于产生多个光刻条件的图案。 该过程使用户能够使用电气测试结构来确定关键尺寸的光刻工艺窗口并覆盖在单个芯片上。