公开(公告)号：US4728616A

公开(公告)日：1988-03-01

申请号：US16893

申请日：1987-02-20

申请人： David G. Ankri ,  Lester F. Eastman ,  Walter H. Ku

发明人： David G. Ankri ,  Lester F. Eastman ,  Walter H. Ku

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7376 ,  H01L29/7371 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/084 ,  Y10S438/912

摘要： A heterojunction transistor doped to form a specially-shaped emitter-base conduction band step or spike is disclosed. The potential barrier is then utilized to accelerate electrons across the base region at the maximum velocity obtainable without scattering electrons to the upper valleys. In this manner the electrons may be transported across the base region virtually without collisions and at a velocity approximately 10 times that of normal electron diffusion across the base region, thus increasing the frequence response of the transistor.

摘要翻译： 公开了掺杂以形成特殊形状的发射极 - 基极导带台阶或尖峰的异质结晶体管。 然后利用势垒以可获得的最大速度跨越基极区加速电子，而不将电子散射到上部谷。 以这种方式，电子可以实际上不经过碰撞而以基本区域传输，并且速度约为穿过基极区域的正常电子扩散的10倍，从而增加晶体管的频率响应。

公开(公告)号：US4672404A

公开(公告)日：1987-06-09

申请号：US771169

申请日：1985-09-03

申请人： David G. Ankri ,  Lester F. Eastman ,  Walter H. Ku

发明人： David G. Ankri ,  Lester F. Eastman ,  Walter H. Ku

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/76 ,  H01L27/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7376 ,  H01L29/7606

摘要： A heterojunction transistor doped to form a specially-shaped emitter-base conduction band step or spike is disclosed. The potential barrier is then utilized to accelerate electrons across the base region at the maximum velocity obtainable without scattering electrons to the upper valleys. In this manner the electrons bay be transported across the base region virtually without collisions and at a velocity approximately 10 times that of normal electron diffusion across the base region, thus increasing the frequence response of the transistor.

摘要翻译： 公开了掺杂以形成特殊形状的发射极 - 基极导带台阶或尖峰的异质结晶体管。 然后利用势垒以可获得的最大速度跨越基极区加速电子，而不将电子散射到上部谷。 以这种方式，电子间隔实际上不经过碰撞而以基本区域的方式传输穿过基极区域，并以大约正常电子扩散穿过基极区域的速度的10倍的速度传输，从而增加晶体管的频率响应。