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    INVERTER LOGIC DEVICES INCLUDING GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TUNABLE BARRIER
    1.
    发明申请
    INVERTER LOGIC DEVICES INCLUDING GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TUNABLE BARRIER 有权
    逆变器逻辑器件，包括具有可控阻挡层的石墨场效应晶体管

    公开(公告)号：US20130048948A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13593708

    申请日：2012-08-24

    申请人： Jin-seong HEO ,  Seong-jun PARK ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Hee-jun YANG ,  David SEO

    发明人： Jin-seong HEO ,  Seong-jun PARK ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Hee-jun YANG ,  David SEO

    IPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

    摘要： Inverter logic devices include a gate oxide on a back substrate, a first graphene layer and a second graphene layer separated from each other on the gate oxide, a first electrode layer and a first semiconductor layer separated from each other on the first graphene layer, a second electrode layer and a second semiconductor layer separated from each other on the second graphene layer, and an output electrode on the first and second semiconductor layers and configured to output an output signal. The first semiconductor layer is doped with a different type of impurities selected from n-type impurities and p-type impurities than the second semiconductor layer.

    摘要翻译： 逆变器逻辑器件包括背面衬底上的栅极氧化物，在栅极氧化物上彼此分离的第一石墨烯层和第二石墨烯层，在第一石墨烯层上彼此分离的第一电极层和第一半导体层， 第二电极层和在第二石墨烯层上彼此分离的第二半导体层，以及在第一和第二半导体层上的输出电极，并且被配置为输出输出信号。 第一半导体层掺杂有比第二半导体层选自n型杂质和p型杂质的不同类型的杂质。