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    INVERTER LOGIC DEVICES INCLUDING GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TUNABLE BARRIER
    1.
    发明申请
    INVERTER LOGIC DEVICES INCLUDING GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TUNABLE BARRIER 有权
    逆变器逻辑器件，包括具有可控阻挡层的石墨场效应晶体管

    公开(公告)号：US20130048948A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13593708

    申请日：2012-08-24

    申请人： Jin-seong HEO ,  Seong-jun PARK ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Hee-jun YANG ,  David SEO

    发明人： Jin-seong HEO ,  Seong-jun PARK ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Hee-jun YANG ,  David SEO

    IPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

    摘要： Inverter logic devices include a gate oxide on a back substrate, a first graphene layer and a second graphene layer separated from each other on the gate oxide, a first electrode layer and a first semiconductor layer separated from each other on the first graphene layer, a second electrode layer and a second semiconductor layer separated from each other on the second graphene layer, and an output electrode on the first and second semiconductor layers and configured to output an output signal. The first semiconductor layer is doped with a different type of impurities selected from n-type impurities and p-type impurities than the second semiconductor layer.

    摘要翻译： 逆变器逻辑器件包括背面衬底上的栅极氧化物，在栅极氧化物上彼此分离的第一石墨烯层和第二石墨烯层，在第一石墨烯层上彼此分离的第一电极层和第一半导体层， 第二电极层和在第二石墨烯层上彼此分离的第二半导体层，以及在第一和第二半导体层上的输出电极，并且被配置为输出输出信号。 第一半导体层掺杂有比第二半导体层选自n型杂质和p型杂质的不同类型的杂质。

    GRAPHENE SWITCHING DEVICE HAVING TUNABLE BARRIER
    3.
    发明申请
    GRAPHENE SWITCHING DEVICE HAVING TUNABLE BARRIER 有权
    具有可调节障碍物的石墨切换装置

    公开(公告)号：US20130048951A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13591732

    申请日：2012-08-22

    申请人： Jin-Seong HEO ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Seong-jun PARK ,  David SEO ,  Hee-jun YANG

    发明人： Jin-Seong HEO ,  Hyun-jong CHUNG ,  Hyun-jae SONG ,  Seong-jun PARK ,  David SEO ,  Hee-jun YANG

    IPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

    摘要： According to example embodiments, a graphene switching devices has a tunable barrier. The graphene switching device may include a gate substrate, a gate dielectric on the gate substrate, a graphene layer on the gate dielectric, a semiconductor layer and a first electrode sequentially stacked on a first region of the graphene layer, and a second electrode on a second region of the graphene layer. The semiconductor layer may be doped with one of an n-type impurity and a p-type impurity. The semiconductor layer may face the gate substrate with the graphene layer being between the semiconductor layer and the gate substrate. The second region of the graphene layer may be separated from the first region on the graphene layer.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，石墨烯切换装置具有可调屏障。 石墨烯开关装置可以包括栅极衬底，栅极衬底上的栅极电介质，栅极电介质上的石墨烯层，顺序地堆叠在石墨烯层的第一区域上的半导体层和第一电极，以及第二电极， 石墨烯层的第二区域。 半导体层可以掺杂有n型杂质和p型杂质中的一种。 半导体层可以面对栅极衬底，其中石墨烯层位于半导体层和栅极衬底之间。 石墨烯层的第二区域可以与石墨烯层上的第一区域分离。