公开(公告)号：US4778776A

公开(公告)日：1988-10-18

申请号：US882857

申请日：1986-07-07

申请人： David W. Tong ,  John L. Benjamin ,  William R. VanDell

发明人： David W. Tong ,  John L. Benjamin ,  William R. VanDell

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/314 ,  Y10S257/905 ,  Y10S257/912

摘要： A process for depositing oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon (SIPOS) as a passivation layer over the junction of a semiconductor silicon substrate in which the substrate is subjected to an oxygen removal step immediately prior to the creation of the SIPOS layer to thereby prevent the creation of an oxide layer at the interface between the SIPOS and the substrate.

摘要翻译： 一种用于在半导体硅衬底的接合处的氧掺杂半绝缘多晶硅（SIPOS）上沉积氧化物半导体绝缘多晶硅（SIPOS）的工艺，其中衬底在创建SIPOS层之前立即进行除氧步骤，从而防止 在SIPOS和衬底之间的界面处形成氧化物层。