公开(公告)号：US20100327412A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12494015

申请日：2009-06-29

申请人： Doug H. Lee ,  Erik P. Geiss

发明人： Doug H. Lee ,  Erik P. Geiss

IPC分类号： H01L29/06 ,  B44C1/22 ,  H01L21/467

CPC分类号： H01L21/0337

摘要： Small feature patterning is accomplished using a multilayer hard mask (HM). Embodiments include sequentially forming a first HM layer and a multilayer HM layer over a substrate, the multilayer HM layer comprising sublayers, etching the multilayer HM layer to form a first opening having an upper first opening with sides converging to a lower second opening and a second opening with substantially parallel sides and an opening substantially corresponding to the lower second opening of the first opening, etching through the second opening to form a corresponding opening in the first HM layer, and etching the substrate through the corresponding opening in the first HM layer.

摘要翻译： 使用多层硬掩模（HM）实现小特征图案化。 实施例包括在衬底上顺序地形成第一HM层和多层HM层，所述多层HM层包括子层，蚀刻多层HM层以形成具有上部第一开口的第一开口，其侧边会聚到较低的第二开口， 开口具有基本上平行的侧面和基本上对应于第一开口的下部第二开口的开口，蚀刻穿过第二开口以在第一HM层中形成对应的开口，以及通过第一HM层中的相应开口蚀刻衬底。

公开(公告)号：US08071485B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12494015

申请日：2009-06-29

申请人： Doug H. Lee ,  Erik P. Geiss

发明人： Doug H. Lee ,  Erik P. Geiss

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/0337

摘要： Small feature patterning is accomplished using a multilayer hard mask (HM). Embodiments include sequentially forming a first HM layer and a multilayer HM layer over a substrate, the multilayer HM layer comprising sublayers, etching the multilayer HM layer to form a first opening having an upper first opening with sides converging to a lower second opening and a second opening with substantially parallel sides and an opening substantially corresponding to the lower second opening of the first opening, etching through the second opening to form a corresponding opening in the first HM layer, and etching the substrate through the corresponding opening in the first HM layer.

摘要翻译： 使用多层硬掩模（HM）实现小特征图案化。 实施例包括在衬底上顺序地形成第一HM层和多层HM层，所述多层HM层包括子层，蚀刻多层HM层以形成具有上部第一开口的第一开口，其侧边会聚到较低的第二开口， 开口具有基本上平行的侧面和基本上对应于第一开口的下部第二开口的开口，蚀刻穿过第二开口以在第一HM层中形成对应的开口，以及通过第一HM层中的相应开口蚀刻衬底。

公开(公告)号：US08173530B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12475994

申请日：2009-06-01

申请人： Doug H. Lee ,  Kisik Choi

发明人： Doug H. Lee ,  Kisik Choi

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device and related method of fabricating it are provided. An exemplary fabrication process begins by forming a gate structure overlying a layer of semiconductor material, the gate structure comprising a gate insulator overlying the layer of semiconductor material and comprising a temporary gate element overlying the gate insulator. The process continues by forming a layer of compressive material overlying the gate structure, and by removing a first portion of the compressive material to expose an upper surface of the temporary gate element, while leaving a second portion of the compressive material intact and external to sidewalls of the temporary gate element. Thereafter, at least a portion of the temporary gate element is removed, while leaving the second portion of the compressive material intact, resulting in a gate recess. The process continues by at least partially filling the gate recess with a gate electrode material.

摘要翻译： 提供了半导体器件及其制造方法。 示例性的制造工艺通过形成覆盖半导体材料层的栅极结构开始，该栅极结构包括覆盖半导体材料层的栅极绝缘体，并且包括覆盖栅极绝缘体的临时栅极元件。 该过程通过形成覆盖栅极结构的压缩材料层，并且通过移除压缩材料的第一部分以暴露临时栅极元件的上表面，同时使压缩材料的第二部分保持完整并且位于侧壁外部 的临时门元件。 此后，临时栅极元件的至少一部分被去除，同时使压缩材料的第二部分完好无损，从而产生栅极凹槽。 该过程通过用栅电极材料至少部分地填充栅极凹槽继续。

公开(公告)号：US20080179281A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11872399

申请日：2007-10-15

申请人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

发明人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

IPC分类号： B31D3/00

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0274

摘要： Methods for fabricating devices having small feature sizes are provided. In an exemplary embodiment, a method comprises forming a patterned first mask layer overlying a subject material layer and isotropically etching the patterned first mask layer. A second masking layer is deposited overlying the patterned first mask layer and the isotropically-etched patterned first mask layer is exposed. The isotropically-etched patterned first mask layer is removed and the subject material layer is etched to form a feature therein.

摘要翻译： 提供了具有小特征尺寸的装置的制造方法。 在示例性实施例中，一种方法包括形成覆盖主体材料层的图案化的第一掩模层，并且各向同性地蚀刻图案化的第一掩模层。 沉积覆盖图案化的第一掩模层的第二掩模层，并暴露各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层。 去除各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层，并蚀刻主体材料层以在其中形成特征。

公开(公告)号：US07297636B1

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11669389

申请日：2007-01-31

申请人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

发明人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0274

摘要： Methods for fabricating devices having small feature sizes are provided. In an exemplary embodiment, a method comprises forming a patterned first mask layer overlying a subject material layer and isotropically etching the patterned first mask layer. A second masking layer is deposited overlying the patterned first mask layer and the isotropically-etched patterned first mask layer is exposed. The isotropically-etched patterned first mask layer is removed and the subject material layer is etched to form a feature therein.

摘要翻译： 提供了具有小特征尺寸的装置的制造方法。 在示例性实施例中，一种方法包括形成覆盖主体材料层的图案化的第一掩模层，并且各向同性地蚀刻图案化的第一掩模层。 沉积覆盖图案化的第一掩模层的第二掩模层，并暴露各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层。 去除各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层，并蚀刻主体材料层以在其中形成特征。

公开(公告)号：US20100301401A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12475994

申请日：2009-06-01

申请人： Doug H. Lee ,  Kisik Choi

发明人： Doug H. Lee ,  Kisik Choi

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device and related method of fabricating it are provided. An exemplary fabrication process begins by forming a gate structure overlying a layer of semiconductor material, the gate structure comprising a gate insulator overlying the layer of semiconductor material and comprising a temporary gate element overlying the gate insulator. The process continues by forming a layer of compressive material overlying the gate structure, and by removing a first portion of the compressive material to expose an upper surface of the temporary gate element, while leaving a second portion of the compressive material intact and external to sidewalls of the temporary gate element. Thereafter, at least a portion of the temporary gate element is removed, while leaving the second portion of the compressive material intact, resulting in a gate recess. The process continues by at least partially filling the gate recess with a gate electrode material.

摘要翻译： 提供了半导体器件及其制造方法。 示例性的制造工艺通过形成覆盖半导体材料层的栅极结构开始，该栅极结构包括覆盖半导体材料层的栅极绝缘体，并且包括覆盖栅极绝缘体的临时栅极元件。 该过程通过形成覆盖栅极结构的压缩材料层，并且通过移除压缩材料的第一部分以暴露临时栅极元件的上表面，同时使压缩材料的第二部分保持完整并且位于侧壁外部 的临时门元件。 此后，临时栅极元件的至少一部分被去除，同时使压缩材料的第二部分完好无损，从而产生栅极凹槽。 该过程通过用栅电极材料至少部分地填充栅极凹槽继续。

公开(公告)号：US07601645B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11872399

申请日：2007-10-15

申请人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

发明人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0274

摘要： Methods for fabricating devices having small feature sizes are provided. In an exemplary embodiment, a method comprises forming a patterned first mask layer overlying a subject material layer and isotropically etching the patterned first mask layer. A second masking layer is deposited overlying the patterned first mask layer and the isotropically-etched patterned first mask layer is exposed. The isotropically-etched patterned first mask layer is removed and the subject material layer is etched to form a feature therein.

摘要翻译： 提供了具有小特征尺寸的装置的制造方法。 在示例性实施例中，一种方法包括形成覆盖主体材料层的图案化的第一掩模层，并且各向同性地蚀刻图案化的第一掩模层。 沉积覆盖图案化的第一掩模层的第二掩模层，并暴露各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层。 去除各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层，并蚀刻主体材料层以在其中形成特征。