公开(公告)号：US20090200584A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12029431

申请日：2008-02-11

申请人： Douglas J. Tweet ,  Jong-Jan LEE

发明人： Douglas J. Tweet ,  Jong-Jan LEE

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： A full color complementary metal oxide semiconductor (CMOS) imaging circuit is provided. The imaging circuit comprises an array of photodiodes including a plurality of pixel groups. Each pixel group supplies 3 electrical color signals, corresponding to 3 detectable colors. The circuit also includes a color filter array overlying the photodiode array employing less than 3 separate filter colors. Each pixel group may be enabled as a dual-pixel including a single photodiode (PD) to supply a first color signal and stacked PDs to supply a second and third color signal. In one aspect, the color filter array employs 1 filter color per pixel group. In another aspect, the color filter array employees 2 filter colors per pixel group. In either aspect, the color filter array forms a checkerboard pattern of color filter pixels. For example, a magenta color filter may overlie the stacked PDs of each dual-pixel, to name one variation.

摘要翻译： 提供全彩互补金属氧化物半导体（CMOS）成像电路。 成像电路包括包括多个像素组的光电二极管阵列。 每个像素组提供3种电气色彩信号，对应于3种可检测的颜色。 该电路还包括一个覆盖光电二极管阵列的彩色滤光片阵列，采用少于3个独立的滤色器。 每个像素组可以被启用为包括单个光电二极管（PD）的双像素，以提供第一颜色信号和堆叠的PD以提供第二和第三颜色信号。 在一个方面，滤色器阵列每像素组使用1个滤色器。 在另一方面，滤色器阵列每个像素组有2个滤色器。 在任一方面，滤色器阵列形成滤色器像素的棋盘图案。 例如，品红色滤色器可以覆盖每个双像素的堆叠的PD，以命名一个变体。

公开(公告)号：US20140134791A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US13674005

申请日：2012-11-10

申请人： Sean Andrew VAIL ,  Alexey KOPOSOV ,  Jong-Jan LEE

发明人： Sean Andrew VAIL ,  Alexey KOPOSOV ,  Jong-Jan LEE

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L31/0326 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D11/00 ,  C09D11/005 ,  C09D11/54 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： A method is provided for forming a solution-processed metal and mixed-metal selenide semiconductor using selenium (Se) nanoparticles (NPs). The method forms a first solution including SeNPs dispersed in a solvent. Added to the first solution is a second solution including a first material set of metal salts, metal complexes, or combinations thereof, which are dissolved in a solvent, forming a third solution. The third solution is deposited on a conductive substrate, forming a first intermediate film comprising metal precursors, from corresponding members of the first material set, and embedded SeNPs. As a result of thermally annealing, the metal precursors are transformed and the first intermediate film is selenized, forming a first metal selenide-containing semiconductor. In one aspect, the first solution further comprises ligands for the stabilization of SeNPs, which are liberated during thermal annealing. In another aspect, the metal selenide-containing semiconductor comprises copper, indium, gallium diselenide (CIGS).

摘要翻译： 提供了使用硒（Se）纳米颗粒（NP）形成溶液处理金属和混合金属硒化物半导体的方法。 该方法形成包含分散在溶剂中的SeNP的第一溶液。 添加到第一溶液中是第二溶液，其包括溶解在溶剂中的第一组金属盐，金属络合物或其组合，形成第三溶液。 第三溶液沉积在导电基底上，形成包含金属前体的第一中间膜，来自第一材料组的相应构件和嵌入的SeNP。 作为热退火的结果，金属前体被转化并且第一中间膜被硒化，形成第一含金属硒化物的半导体。 在一个方面，第一溶液还包含用于稳定SeNP的配体，其在热退火期间释放。 另一方面，含金属硒化物的半导体包括铜，铟，二硒化镓（CIGS）。

公开(公告)号：US20130122723A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13296191

申请日：2011-11-14

申请人： Sean Andrew VAIL ,  David R. EVANS ,  Wei PAN ,  Jong-Jan LEE

发明人： Sean Andrew VAIL ,  David R. EVANS ,  Wei PAN ,  Jong-Jan LEE

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L21/2686 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/7869 ,  Y02E10/542

摘要： An ultraviolet treatment method is provided for a metal oxide electrode. A metal oxide electrode is exposed to an ultraviolet (UV) light source in a humid environment. The metal oxide electrode is then treated with a moiety having at least one anchor group, where the anchor group is a chemical group capable of promoting communication between the moiety and the metal oxide electrode. As a result, the moiety is bound to the metal oxide electrode. In one aspect the metal oxide electrode is treated with a photoactive moiety. Exposing the metal oxide electrode to the UV light source in the humid environment induces surface defects in the metal oxide electrode in the form of oxygen vacancies. In response to the humidity, atmospheric water competes favorably with oxygen for dissociative adsorption on the metal oxide electrode surface, and hydroxylation of the metal oxide electrode surface is induced.

摘要翻译： 为金属氧化物电极提供紫外线处理方法。 金属氧化物电极在潮湿环境中暴露于紫外（UV）光源。 然后用具有至少一个锚定基团的部分处理金属氧化物电极，其中锚定基团是能够促进部分和金属氧化物电极之间的连通的化学基团。 结果，该部分与金属氧化物电极结合。 在一个方面，用光活性部分处理金属氧化物电极。 在潮湿环境中将金属氧化物电极暴露于UV光源以氧空位的形式引起金属氧化物电极中的表面缺陷。 响应于湿度，大气水与氧反应，在金属氧化物电极表面上进行离解吸附，诱导金属氧化物电极表面的羟基化。