公开(公告)号：US20110069539A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12887850

申请日：2010-09-22

申请人： Evangelos S. Eleftheriou ,  Angeliki Pantazi ,  Nikolaos Papandreou ,  Charalampos Pozidis ,  Abu Sabastian

发明人： Evangelos S. Eleftheriou ,  Angeliki Pantazi ,  Nikolaos Papandreou ,  Charalampos Pozidis ,  Abu Sabastian

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0092

摘要： A method and a feedback controller for programming at least one multi-level phase-change memory cell with a programming signal. The method and feedback controller include a sequence of write pulses applied to the multi-level phase change memory cell, wherein the feedback controller adjusts in real time at least one parameter of each write pulse as a function of a determined resistance error of the phase-change memory cell with respect to a desired reference resistance level.

摘要翻译： 一种用于使用编程信号来编程至少一个多电平相变存储器单元的方法和反馈控制器。 方法和反馈控制器包括施加到多电平相变存储器单元的写入脉冲序列，其中反馈控制器实时调整每个写入脉冲的至少一个参数作为所确定的相位阻抗误差的函数， 相对于期望的参考电阻电平改变存储器单元。

公开(公告)号：US08441847B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12887850

申请日：2010-09-22

申请人： Evangelos S Eleftheriou ,  Angeliki Pantazi ,  Nikolaos Papandreou ,  Charalampos Pozidis ,  Abu Sabastian

发明人： Evangelos S Eleftheriou ,  Angeliki Pantazi ,  Nikolaos Papandreou ,  Charalampos Pozidis ,  Abu Sabastian

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0092

摘要： A method and a feedback controller for programming at least one multi-level phase-change memory cell with a programming signal. The method and feedback controller include a sequence of write pulses applied to the multi-level phase change memory cell, wherein the feedback controller adjusts in real time at least one parameter of each write pulse as a function of a determined resistance error of the phase-change memory cell with respect to a desired reference resistance level.

摘要翻译： 一种用于使用编程信号来编程至少一个多电平相变存储器单元的方法和反馈控制器。 方法和反馈控制器包括施加到多电平相变存储器单元的写入脉冲序列，其中反馈控制器实时调整每个写入脉冲的至少一个参数作为所确定的相位阻抗误差的函数， 相对于期望的参考电阻电平改变存储器单元。