公开(公告)号：US20110315654A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12968020

申请日：2010-12-14

申请人： Frederik Willem Maurits VANHELMONT ,  Rensinus Cornelis STRIJBOS ,  Andreas Bernardus Maria JANSMAN ,  Robertus Adrianus Maria WOLTERS ,  Johannes van WINGERDEN ,  Fredericus Christiaan van den HEUVEL

发明人： Frederik Willem Maurits VANHELMONT ,  Rensinus Cornelis STRIJBOS ,  Andreas Bernardus Maria JANSMAN ,  Robertus Adrianus Maria WOLTERS ,  Johannes van WINGERDEN ,  Fredericus Christiaan van den HEUVEL

IPC分类号： H01L41/22

CPC分类号： H03H9/564 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02228

摘要： A method of manufacturing a Bulk Acoustic Wave device by providing an active layer formed of an electro-mechanical transducer material, providing a first electrode on the active layer, defining a first electrode portion of the device, whereby a remaining portion of the device is defined around the first electrode, providing a stop-layer on the first electrode, depositing a first dielectric layer on the resultant structure, and planarizing the first dielectric layer until the stop-layer on the first electrode is exposed.

摘要翻译： 通过提供由机电换能器材料形成的有源层来制造体声波器件的方法，在有源层上提供第一电极，限定器件的第一电极部分，从而定义器件的剩余部分 围绕第一电极，在第一电极上提供停止层，在所得结构上沉积第一电介质层，并平坦化第一电介质层，直到第一电极上的停止层露出。

公开(公告)号：US20110187361A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13020694

申请日：2011-02-03

申请人： Frederik Willem Maurits VANHELMONT ,  Mark ISLER ,  Andreas Bernardus Maria JANSMAN ,  Robertus Adrianus Maria WOLTERS

发明人： Frederik Willem Maurits VANHELMONT ,  Mark ISLER ,  Andreas Bernardus Maria JANSMAN ,  Robertus Adrianus Maria WOLTERS

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01R33/0052 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/0005 ,  G01R33/093 ,  G01R33/096

摘要： An MR sensor arrangement is integrated with an IC. A metal layer of the IC structure (e.g. CMOS) is patterned to define at least first and second contact regions. Metal connecting plugs are provided below the first and second contact regions of the metal layer for making contact to terminals of the integrated circuit. A magnetoresistive material layer is above the metal layer and separated by a dielectric layer. Second metal connecting plugs extend up from the metal layer to an MR sensor layer. The sensor layer is thus formed over the top of the layers of the IC structure.

摘要翻译： MR传感器装置与IC集成。 图案化IC结构（例如CMOS）的金属层以限定至少第一和第二接触区域。 金属连接插头设置在金属层的第一和第二接触区域的下方，用于与集成电路的端子接触。 磁阻材料层位于金属层的上方并被电介质层分离。 第二金属连接插头从金属层向上延伸到MR传感器层。 因此，传感器层形成在IC结构的层的顶部上。