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公开(公告)号：US07791937B2
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：US11814674
申请日：2006-01-19
申请人： Friso J. Jedema , Hans M. B. Boeve , Jaap Ruigrok
发明人： Friso J. Jedema , Hans M. B. Boeve , Jaap Ruigrok
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C17/02 , G11C11/1673
摘要： The invention relates to a Magnetic memory system (1, 20) which comprises an information layer (13) and a sensor (2, 22) for cooperating with the information layer (13). The information layer (13) comprises a pattern of magnetic bits (4a, 4b, 4c, 4d, 24a, 24c, 24d) which constitutes an array of bit locations. A bit magnetic field (3a, 3b, 3c, 3d) at a bit location represents a logical value (LO, L1/2, L1). The sensor (2, 22) comprises a magnetoresistive element (6, 26) comprising a fixed magnetic layer (7) and a free magnetic layer (8). The free magnetic layer (8) has a magnetization axis (10) along which the free magnetic layer retains a free magnetization direction (1 Ib, 1 Ic, 21b, 21c). A first bit magnetic field (3b, 3c) at one of the bit locations represents a first logical value (LO, L1/2, L1) by providing a first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (1 Ic, 1 Ib, 21a, 21c) being substantially parallel to the magnetization axis (10). A second bit magnetic field (3a, 3d) at one of the bit locations represents a second logical value (LO, L1/2, L1) by providing a second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (Ha, 1 Id, 21a, 2Id) having an angle (12a, 12d, 27) with the magnetization axis (10). The second bit magnetic field (3a, 3d) which provides the second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) is not one of the two stable magnetization directions of the free magnetic layer (8) and thus is different from the first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin). The magnetization direction of the free magnetic layer (8) of the sensor (2, 22) no longer needs to be set before read-out.
摘要翻译： 本发明涉及一种磁存储器系统（1,20），其包括信息层（13）和用于与信息层（13）配合的传感器（2,22）。 信息层（13）包括构成比特位置阵列的磁头（4a，4b，4c，4d，24a，24c，24d）的图案。 位位置处的位磁场（3a，3b，3c，3d）表示逻辑值（LO，L1 / 2，L1）。 传感器（2,22）包括包括固定磁性层（7）和自由磁性层（8）的磁阻元件（6,26）。 自由磁性层（8）具有磁化轴（10），自由磁性层沿着磁化轴保持自由磁化方向（11b，11c，21b，21c）。 其中一个比特位置处的第一比特磁场（3b，3c）通过在磁阻元件（6）中提供第一电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来表示第一逻辑值（LO，L1 / 2，L1） 由于自由磁化方向（1c，11b，21a，21c）与磁化轴线（10）基本平行。 其中一个比特位置处的第二位磁场（3a，3d）通过在磁阻元件（6）中提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来表示第二逻辑值（LO，L1 / 2，L1） 由于具有与磁化轴线（10）的角度（12a，12d，27）的自由磁化方向（Ha，11d，21a，2Id）。 提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）的第二位磁场（3a，3d）不是自由磁性层（8）的两个稳定磁化方向之一，因此不同于第一电阻值（ Rmax，Rmid，Rmin）。 传感器（2,22）的自由磁性层（8）的磁化方向不再需要在读出之前被设定。
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公开(公告)号：US20080316801A1
公开(公告)日：2008-12-25
申请号：US11814674
申请日：2006-01-19
申请人： Friso J. Jedema , Hans M.B. Boeve , Jaap Ruigrok
发明人： Friso J. Jedema , Hans M.B. Boeve , Jaap Ruigrok
CPC分类号： G11C17/02 , G11C11/1673
摘要： The invention relates to a Magnetic memory system (1, 20) which comprises an information layer (13) and a sensor (2, 22) for cooperating with the information layer (13). The information layer (13) comprises a pattern of magnetic bits (4a, 4b, 4c, 4d, 24a, 24c, 24d) which constitutes an array of bit locations. A bit magnetic field (3a, 3b, 3c, 3d) at a bit location represents a logical value (LO, L1/2, L1). The sensor (2, 22) comprises a magnetoresistive element (6, 26) comprising a fixed magnetic layer (7) and a free magnetic layer (8). The free magnetic layer (8) has a magnetization axis (10) along which the free magnetic layer retains a free magnetization direction (1 Ib, 1 Ic, 21b, 21c). A first bit magnetic field (3b, 3c) at one of the bit locations represents a first logical value (LO, L1/2, L1) by providing a first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (1 Ic, 1 Ib, 21a, 21c) being substantially parallel to the magnetization axis (10). A second bit magnetic field (3a, 3d) at one of the bit locations represents a second logical value (LO, L1/2, L1) by providing a second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) in the magnetoresistive element (6, 26) due to the free magnetization direction (Ha, 1 Id, 21a, 2Id) having an angle (12a, 12d, 27) with the magnetization axis (10). The second bit magnetic field (3a, 3d) which provides the second resistance value (Rmax, Rmid, Rmin) is not one of the two stable magnetization directions of the free magnetic layer (8) and thus is different from the first resistance value (Rmax, Rmid, Rmin). The magnetization direction of the free magnetic layer (8) of the sensor (2, 22) no longer needs to be set before read-out.
摘要翻译： 本发明涉及一种磁存储器系统（1,20），其包括信息层（13）和用于与信息层（13）配合的传感器（2,22）。 信息层（13）包括构成比特位置阵列的磁头（4a，4b，4c，4d，24a，24c，24d）的图案。 位位置处的位磁场（3a，3b，3c，3d）表示逻辑值（LO，L1 / 2，L1）。 传感器（2,22）包括包括固定磁性层（7）和自由磁性层（8）的磁阻元件（6,26）。 自由磁性层（8）具有磁化轴（10），自由磁性层沿着磁化轴保持自由磁化方向（11b，11c，21b，21c）。 其中一个比特位置处的第一比特磁场（3b，3c）通过在磁阻元件（6）中提供第一电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来表示第一逻辑值（LO，L1 / 2，L1） 由于自由磁化方向（1c，11b，21a，21c）与磁化轴线（10）基本平行。 其中一个比特位置处的第二位磁场（3a，3d）通过在磁阻元件（6）中提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）来表示第二逻辑值（LO，L1 / 2，L1） 由于具有与磁化轴线（10）的角度（12a，12d，27）的自由磁化方向（Ha，11d，21a，2Id）。 提供第二电阻值（Rmax，Rmid，Rmin）的第二位磁场（3a，3d）不是自由磁性层（8）的两个稳定磁化方向之一，因此不同于第一电阻值（ Rmax，Rmid，Rmin）。 传感器（2,22）的自由磁性层（8）的磁化方向不再需要在读出之前被设定。
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公开(公告)号：US20090127537A1
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：US12294020
申请日：2007-03-21
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246
摘要： An electric device has an electrically switchable resistor (2′) comprising a phase change material. The resistance value of the resistor can be changed between at least two values by changing the phase of the phase change material within a part of the resistor called the switching zone (12′) using Joule heating of the resistor. The device comprises a body (24′) encapsulating the resistor, which body comprises at least two abutting regions (26′, 28′) having different thermally insulating properties. These regions form a thermally insulating contrast with which the dimension of the switching zone can be determined without having to alter the dimensions of the resistor. Such a device can be used in electronic memory or reconfigurable logic circuits.
摘要翻译： 电气装置具有包括相变材料的电可开关电阻器（2'）。 通过使用电阻器的焦耳加热来改变称为开关区（12'）的电阻器的一部分内的相变材料的相位，可以在至少两个值之间改变电阻器的电阻值。 该装置包括封装电阻器的本体（24'），该主体包括具有不同绝热性能的至少两个邻接区域（26'，28'）。 这些区域形成隔热对比度，可以确定开关区域的尺寸，而不必改变电阻器的尺寸。 这种装置可用于电子存储器或可重新配置的逻辑电路中。
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