公开(公告)号：US20140020130A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13813264

申请日：2010-11-04

申请人： Fuguang Li ,  Chuanliang Liu ,  Zhixia Wu ,  Fenglian Li ,  Xueyan Zhang ,  Haihong Shang ,  Chaojun Zhang ,  Depei Kong ,  Qianhua Wang ,  Yufen Wang ,  Jinshui Yang ,  Fan Sun ,  Weiwei Qi ,  Xiaoyin Qian ,  Xiaojin Luo

发明人： Fuguang Li ,  Chuanliang Liu ,  Zhixia Wu ,  Fenglian Li ,  Xueyan Zhang ,  Haihong Shang ,  Chaojun Zhang ,  Depei Kong ,  Qianhua Wang ,  Yufen Wang ,  Jinshui Yang ,  Fan Sun ,  Weiwei Qi ,  Xiaoyin Qian ,  Xiaojin Luo

IPC分类号： C12N15/82 ,  C07K14/415

CPC分类号： C12N15/8261 ,  A01H1/02 ,  C07K14/415 ,  C12N15/8266 ,  Y02A40/146

摘要： The present invention clones the second RNA recognition motif (RRM2) gene of FCA-γ gene in Brassica napus, and transforms the RRM2 domain gene into cotton by transgenic method. The transgenic line exhibits characteristics of yield increasing, fiber quality enhancement and senescence resistance. The results indicate that the RRM2 domain gene can be used for improving traits in industrial crops.

摘要翻译： 本发明克隆了欧洲油菜中FCA-γ基因的第二个RNA识别基序（RRM2）基因，并通过转基因方法将RRM2结构域基因转化为棉花。 转基因品系表现出产量增加，纤维质量提高和抗衰老性能。 结果表明，RRM2结构域基因可用于提高工业作物的性状。

公开(公告)号：US08975181B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13398837

申请日：2012-02-16

申请人： Fenglian Li

发明人： Fenglian Li

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/6653 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A semiconductor device and manufacture method thereof include a silicide material formed on a source region and a drain region on opposite sides of a gate, wherein the gate having sidewalls on both side surfaces is formed on a substrate. The gate has a first sidewall spacer and a second sidewall spacer on each sidewall, the first spacer has a horizontal portion and a vertical portion, the horizontal portion is located between the second sidewall spacer and the substrate, the vertical portion is located between the second sidewall spacer and the sidewalls. A protecting layer is selectively deposited on the silicide material.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括在栅极的相对侧的源极区域和漏极区域上形成的硅化物材料，其中在两个侧面上具有侧壁的栅极形成在基板上。 栅极在每个侧壁上具有第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，第一间隔件具有水平部分和垂直部分，水平部分位于第二侧壁间隔件和基板之间，垂直部分位于第二侧壁间隔件之间 侧壁间隔件和侧壁。 保护层被选择性地沉积在硅化物材料上。