公开(公告)号：US09502232B2

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：US14321866

申请日：2014-07-02

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Sipeng Gu ,  Sandeep Gaan ,  Zhiguo Sun ,  Huang Liu ,  Adam Selsley

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/321

Abstract: Methods for fabricating a layered circuit structure are provided, which include, for instance: depositing a first material layer above a substrate, the first material layer having an oxidized upper surface; providing a second material layer over the oxidized upper surface of the first material layer; and inhibiting diffusion of one or more elements from the oxidized upper surface of the first material layer into either the first material layer or the second material layer during the providing of the second material layer over the oxidized upper surface of the first material layer. The inhibiting may include one or more of modifying a characteristic(s) of the first material layer, forming a protective layer over the oxidized upper surface of the first material layer, or altering at least one process parameter employed in providing the second material layer.

Abstract translation: 提供了一种用于制造分层电路结构的方法，其包括例如：在衬底上沉积第一材料层，第一材料层具有氧化的上表面; 在所述第一材料层的氧化的上表面上提供第二材料层; 并且在第二材料层在第一材料层的氧化的上表面上提供第二材料层期间，抑制一个或多个元件从第一材料层的氧化的上表面扩散到第一材料层或第二材料层中。 抑制可以包括一个或多个修饰第一材料层的特征，在第一材料层的氧化的上表面上形成保护层，或改变在提供第二材料层中使用的至少一个工艺参数。