公开(公告)号：US08962485B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13897890

申请日：2013-05-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Mohamed Salama ,  Tuhin Guha Neogi ,  Scott Beasor

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/0207

Abstract: A method of silicide formation in a semiconductor fabrication process is disclosed. An active area (RX) mask is used to form an active silicon area, and is then reused to form a trench transfer (TT) area. A trench block (TB) mask is logically ANDed with the active area (RX) mask to form a trench silicide (TS) region.

Abstract translation: 公开了半导体制造工艺中硅化物形成的方法。 使用有源区（RX）掩模形成活性硅区，然后再利用以形成沟槽转移（TT）区。 沟槽块（TB）掩模与有源区（RX）掩模进行逻辑“与”，以形成沟槽硅化物（TS）区域。

公开(公告)号：US20140342556A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US13897890

申请日：2013-05-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Mohamed Salama ,  Tuhin Guha Neogi ,  Scott Beasor

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/0207

Abstract: A method of silicide formation in a semiconductor fabrication process is disclosed. An active area (RX) mask is used to form an active silicon area, and is then reused to form a trench transfer (TT) area. A trench block (TB) mask is logically ANDed with the active area (RX) mask to form a trench silicide (TS) region.

Abstract translation: 公开了半导体制造工艺中硅化物形成的方法。 使用有源区（RX）掩模形成活性硅区，然后再利用以形成沟槽转移（TT）区。 沟槽块（TB）掩模与有源区（RX）掩模进行逻辑“与”，以形成沟槽硅化物（TS）区域。